垂直布里奇曼法生长的Cd_（0.8）Mn_（0.2）Te单晶体中Te沉淀相分析.pdfVIP

第28卷 第 1期 电 子 显 微 学 报 Vol一28．No．I 2009年 2月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2009—2 文章编号 ：1000．6281(2009)01—0057．05 垂直布里奇曼法生长的Cd0．8Mn Te 单晶体中Te沉淀相分析 栾丽君，介万奇 (西北工业大学材料学院，陕西 西安 710072) 摘 要 ：Cd1一MnTe(cdM e，cMT)是制备光学隔离器、太 阳能电池、x射线和 7射线探测器 的优选材料 。本实验 采用垂直布里奇曼(vB)法成功地生长 出CdoMnoTe单 晶体 。用 JEM．3010型高分辨透射 电子显微镜 (HRTEM)观 察 了CMT晶体 中的纳米级 Te沉淀。选 区电子衍射得到了Te沉淀与 CMT基体两相 的合成 电子衍