P型Cd1xZnxTe薄膜的制备及性质研究.pdfVIP

光谱学 与 光谱分析 1298 01 3 5 and May，zOl3 第3；卷磐5背年 月 SpectroscopySpectralAnalysis P型Cdl--xZnjTe薄膜的制备及性质研究 赵 宇，江洪超，武莉莉。，冯良桓，曾广根，王文武，张静全，李 卫 四川大学材料科学与工程学院，四川成都610064 摘要采用cu对共蒸发法制备的Cd。一。Zn，Te薄膜进行P型掺杂。用x射线荧光、X射线衍射、扫描电 镜、紫外一可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同cu掺杂浓度下Cd。一。Zn。Te薄膜退火前后 的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺cu10％的薄膜在退火后导电类型由P型转 变为N型、电阻率增大了几个数量级；掺铜20％的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变，退火后 薄膜表面较为均匀完整；掺铜30％的薄膜透过率显著下降到10％以下，退