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a-Si薄膜晶体管逻辑电路的可靠性仿真与研究1
∗
刘如，崔晴宇，郭小军 ，苏翼凯
上海交通大学，上海，200240
摘 要：本文提出了一种对 a-Si 薄膜晶体管逻辑电路可靠性进行仿真的方法，并对两种不同的反相器电路
进行了分析和比较。结果表明，虽然 bootstrap 反相器初始直流输出特性较好，但是长时间运行后由于电
路中薄膜晶体管器件阈值电压的漂移，其输出特性恶化的程度要大于正常形式的反相器电路。
关 键 词：反相器，a-Si薄膜晶体管（TFT），可靠性仿真
电路设计电路设计
1 引言 时间稳定性参数时间稳定性参数
SPICESPICE 网表文件网表文件
a-Si 薄膜晶体管由于其空间均匀性好，
运行瞬态仿运行瞬态仿 更新更新 是是 TFTTFT所有参数所有参数 否否 结束结束
制造工艺简单，在过去的十年中作为大规模 真程序真程序 SPICESPICE 网网 都符合要求都符合要求 ？？
表文件表文件
平板显示和图像阵列的有源矩阵背板而得 否否
到了广泛的应用[1-2].另一方面，a-Si 薄 外插得到每外插得到每 生成各个生成各个TFTTFT 仿真是否达仿真是否达 是是 结束结束
个个TFTTFT偏置偏置 新的参数新的参数 到最终时间？到最终时间？
膜晶体管也可以用于平板显示的周边驱动 加电过程加电过程
电路[3-4]。但是，a-Si薄膜晶体管可靠性 器件稳定性模型器件稳定性模型
差，严重影响了其构成电路的实用性。鉴于 图 1 电路可靠性仿真流程图
此，本文提出了一种分析 a-Si 薄膜晶体管 Fig 1 The flow chart of the circuit reliability
逻辑电路可靠性的仿真方法。通过对 a-Si simulation
薄膜晶体管的两种反相器的可靠性的仿真，
分析不同反相器结构的差别，以及阈值电压 首先，根据电路的设计，输入电路的网
漂移对整体电路可靠性的影响。 表文件，运行 SPICE 电路仿真器，得到电路
中每个 TFT 偏置加电的信息，再依赖器件
的可靠性模型，从而生成各个 TFT 参数，
2 仿真方法
更新网表，进行下一步瞬态仿真，直到达到
2.1 电路可靠性仿真流程 仿真时间，或者 TFT 器件参数的漂移超过
本文仿真流程图如图 1：
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