半“V”字形铁电液晶器件的制备.pdfVIP

维普资讯 第 37卷第 2期 光 子 学 报 Vo1．37No．2 2008年 2月 ACTA PHOTONICA SINICA 半 “V字形铁 电液晶器件的制备 李静 ，邹忠飞 ，唐先柱 ，一，宣丽 (1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室，长春 130033) (2中国科学院研究生院，北京 100039) 摘 要 ：实验研 究了N Sc相变时施加直流 电压的强度对铁 电液 晶分子层排列和 电光性 能的影 响 ，由此筛选 了合适的直流电压强度，并研制 了可实现连续灰度级的半 “V”字形铁 电液晶样品．实 验说 明N sc相变时施加直流 电压强度大有利于获得性能 良好的器件．采用N—sc相变施加 4V／~／m 直流 电压，制备半 “V”字形铁 电液晶器件 ，经测试器件饱和 电压为 5V，对 比度为 112．8，上 升时间和下降时间分别为 622．14 s和 374．7 s． 关键词 ：N Sc序列相铁 电液 晶；直流电压强度；半 “V”字形 ；铁电液晶分子偏转角 中图分类号 ：TN141 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4213(2008)02—0225-5 0 引言 光特性产生的原因，制备了具有较低饱和电压、高对 比度和快速响应的半 “V”字型铁电液晶器件． 向列相液 晶显示器 已经广泛应用于移动通讯、 1 实验 笔记本 电脑和液 晶 电视．但 是 ，向列相液 晶毫秒 1．1 器件的制备 (ms)量级l1的响应速度不能满足高清晰 电视和大 研究采用铁 电液 晶材料 R2301(AZElectronic 容量动态显示 的要求．因此研发高速响应液晶显示 MaterialsGermanyGmbHFLC提供)，自发极化值 器件 已经 成 为 当务之 急．表 面 稳定 铁 电液 晶 P 一3．5nC／cm ，相序为：I86．8℃～84．8℃ N (SurfaceStabilized FerroelectricLiquid Crystals， 64．7。CSmC ，锥角为 55。(25。C)．把聚酰亚胺 (PI) SSFLC)i 器件 的响应速度可 以达到微秒 (s)量 膜 (SE一3140；NissanChemicalIndustries，Ltd)涂附 级，但是很难实现连续灰度 ，且对液晶盒的厚度和均 在 IT0玻璃基板上 ，在 100℃预固化 10min，230℃ 匀度要求极高．反铁 电液 晶 【5l可 以实现连续切换灰 固化 60min．用 UVISELSPME型椭偏仪 (JY， 度，响应时间高达 100Vs，但是由于 自发极化值太大 France)测量取 向膜 厚度为 80nm．经过摩擦处理 存在电场反转 问题．由于 N—sc序列相铁 电液 晶 后，使上下两基板的摩擦方向反平行制作液晶盒 ，盒 能够实现连续灰度级l6。]，且具有响应速度快、视角 厚为 2．5 m．把铁 电液 晶加热到 90℃，利用毛细