半导体外延掺杂的深度分布——“修正的”余误差分布.pdfVIP

维普资讯 第 47卷 第 1期 复 旦 学 报 (自然科学版) Vo1．47No．1 2008年 2月 JournalofFudanUniversity(NautralScience) Felb．2008 文章编号：0427—7104(2008)01—0008—06 半导体外延掺杂的深度分布 “修正的 余误差分布 医 ，宋毅锋 (复旦大学 材料科学系，上海 200433) 摘 要：在制造半导体器件的外延工艺中，外延生长时通常要掺入杂质．如果杂质的扩散系数很小，杂质在外延 层中的深度分布是均匀的；如果杂质的扩散系数较大，半导体在外延生长过程中，杂质还有较明显的扩散，也会 扩散到衬底中去．杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关，还和外延生长速度及外延生长时间有关．从 理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式—— “修正的”余误差分布；并根据该表达式绘出不同扩 散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图；讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件． 关键词：材料科学 ；半导体外延；杂质扩散；杂质浓度深度分布 中图分类号：TN304．02；TN304．054 文献标识码 ：A 在半导体器件制造工艺中，常需将杂质按要求的浓度和分布掺人到半导体中，达到形成半导体器件的 目的．热扩散法是一种常用的掺杂技术，杂质在半导体中的扩散运动可用扩散方程来描述．在不同的扩散 条件下，扩散方程将得到不同的解，即有不同的杂质分布形式．杂质在半导体中扩散大致可分为两类：杂质 在扩散过程中若半导体表面外的杂质浓度始终保持不变，称为恒定表面浓度扩散；若杂质在扩散过程中没 有外来杂质补充，仅限于扩散前积累在半导体表面无限薄层 内的杂质总量，这种扩散称为恒定杂质总量扩 散．前者对应的杂质浓度随深度分布用余误差函数描写，后者则用高斯函数描写．对于了解半导体工艺的 读者，这些基础知识都是很熟悉的，通常在集成电路制造工艺书籍和手册中都有详细描述[1-3]． 在半导体气相外延和分子束外延等外延工艺中，常常需要外延时同时掺人杂质，即杂质原子在外延过 程中与半导体原子一起不断加入到晶格点阵中去．由于外延通常在较高温度下进行，外延过程中杂质原子 的扩散效应就不能忽略，杂质浓度随深度分布便不能用余误差函数描写．假设外延时表面杂质浓度保持恒 定，在杂质扩散系数很小的情况下，杂质在外延层中的分布基本是均匀的．如果杂质的扩散系数较大，则半 导体在外延生长过程中，杂质还有较明显的扩散，使杂质浓度随深度不断减少，杂质也会扩散到衬底中去， 杂质浓度随深度分布与余误差分布有明显的差别．这时必须考虑外延生长速度对杂质浓度深度分布的影 响．文献[4]在研究分子束外延生长半导体材料锑化铟(InSb)的掺杂行为时，分别在外延生长过程中掺人 了硅 (Si)和铍(Be)，然后用二次离子质谱测量 InSb外延层中硅和铍的深度分布，发现硅在 InSb外延层中 的分布基本是均匀的，而铍在 InSb外延层中的分布是表面高，体内底．这明显是扩散系数很大的铍在外延 生长时同时向体内扩散所致． 我们查了很多文献 ，没有找到描写在外延生长条件下杂质分布的表达式．经过反复推敲，我们巧妙地 把坐标原点取在外延片表面，在保持外延生长速度不变的情况下，这个新选的移动坐标对于固定坐标而言 一 直以恒定速度(外延生长速度)移动，这个移动坐标仍是一个惯性系统，在所有惯性系统中，已知的物理 规律都适用．对于这个以外延片表面为原点的移动坐标，应用 Fick定律，建立了扩散方程，解该方程得到 了修“正的”余误差分布，该分布给出了外延生长结束时刻外延层中杂质浓度深度分布 (深度坐标以外延片 表面为原点)，其中包含了外延生长速度和时间以及杂质扩散系数对杂质浓度深度分布的影响．当外延生 收稿 日期：2006—07—14 作者简介：匿圈 (1943--2006)，男，副教授；通讯联系人郑国祥教授，E_n诅il：gxzhng@fudan．ed．c