用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究.pdfVIP

维普资讯 34卷第2期 人 工 晶 体 学 专艮 2005年4月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究 张宇翔，王海燕，陈永生，杨仕娥，郜小勇，卢景霄，冯团辉，李 瑞，郭 敏 (郑州大学物理工程学院，郑州450052) 摘要：用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a—Si：H)薄膜，再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退 火(RPTA)，得到了多晶硅薄膜。然后，进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现，a—Si：H薄膜 在 RPTA退火中，退火温度在750~C以上，晶化时间需要2min，退火温度在650~C以下，晶化时间则需要2．5h；晶化 后，晶粒的优先取向是(111)晶向；退火温度85O℃时，得到的晶粒最大，暗电导率也最大；退火温度越高，晶化程度 越好；退火时间越长，晶粒尺寸越大；光子激励在RPTA退火中起着重要作用。 关键词：多晶硅薄膜；快速光热退火；固相晶化 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2005)02-0340-04 StudyonPolycrystallineSiliconFilmsPrepared byRapidPhoto—thermalAnnealing ZHANGYu—xiang，WANGHai-yan，CHEN 一sheng，YANGShi—e， GAOXiao-yong，LUJing—xiao，FENGTuan—hui，LIRui，GUOMin (CollegeofPhysicalScienceandTechnology，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450052，China) (Received3October2004) Abstract：An amorphoussilicon film was deposited by plasma enhanced chemicalvapordeposition (PECVD)andannealedbytungstenhalogenlampsheating．Theprocesscancrystallizeanamoprhous siliconfilm inlessdurationwithlowerthermalbudgetthantraditionalfurnaceannealing．Thestructureof theobtainedpolycrystallineSifilm Was studiedbyXRD，Ramanspectroscopyanddarkconductivity．The resultsshow thattheannealingtemperaturenadnanealingtimehaveagreateffectonthecrystallizationof amoprhoussiliconthinfilm． Keywords：polycrystallinesiliconfilm；rapidphoto-themral annealing；solid—phasecrystallization 1 引 言 多晶硅薄膜是综合了晶体硅材料和非晶硅合金薄膜的优点，在能源科学、信息科学的微电子技术中有着 广泛应用的一种新型功能薄膜材料 J。目前制备多晶硅薄膜的方法很多，如化学汽相沉积法、液相生长法、 激光再结晶法、固相晶化和热丝法，这些方法各有特点 。固相晶化(SPC)法，是指固体发生晶化的温度低 于熔融后结晶的温度。这种技术的优点是能制备大面积的薄膜，成本低，工艺简单。一般多采用传统的电阻 丝加热炉对其固体进行固相晶化，晶化需要几个或几十个小时的时间，而近年来用快速光热退火(RPT