亚011Λm 栅长CMOS 器件和电路的研制 3.pdfVIP

　第 25 卷第 5 期 半　导　体　学　报 . 25, . 5 V o l N o 　2004 年 5 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S M ay , 2004 亚 0 1m 栅长CM O S 器件和电路的研制 刘文安　黄　如　张　兴 (北京大学微电子学研究所, 北京　10087 1) 摘要: 利用侧墙图形转移实现亚 0 1m 栅线条, 重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CM O S 晶体管超浅源漏扩展区, 并且将二者有机结合起来, 成功实现了栅长约为 84 6nm 的CM O S 器件和电路. 报道了利用重掺杂多晶硅固相扩 散同时实现CM O S 源漏扩展区的方法. 关键词: 侧墙图形转移技术; 固相扩散; 源漏扩展区 EEACC: 2560 中图分类号: TN 386　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 (2004) 线条, 成本较低, 也比较方便. 基于侧墙图形转移技 1　前言 术的基本原理, 本文开发了一种利用侧墙转移实现 栅线条的比较理想的方法, 并且成功地利用这种方 随着集成 电路规模和集成密度 的不断提高, 法实现了栅长约为 84 6nm 的CM O S 器件和电路. M O S 晶体管的沟道长度已经下降到 01m 以下, 进入亚 01m 后, 器件源漏扩展区(SD E ) 的制 晶体管的各种物理尺寸, 例如栅长、栅宽、栅氧厚度、 作成为工艺技术迫切需要解决的另一个难题, 器件 源漏结深等也相应地按比例缩小, 纳米级栅线条和 对源漏扩展区的结构提出了更严格的要求. 例如, 对 超浅p n 结的制作面临着巨大的挑战, 已经成为当 于栅长 90nm 的M O S 器件而言, 为了避免严重的短 前超短沟器件研制中最困难的领域之一[ 1～ 6 ]. 沟道效应, 其源漏扩展区的表面杂质浓度应大于 目前制作亚 01m 栅线条的方法主要有两大 1020 cm - 3 , 源漏扩展区的结深应小于 45nm , 而杂质 ( ) [ 13 ] 类. 其一是光刻 更短波长的光源 和与光刻相似的 浓度梯度应小于 72 . 目前形成超浅结主 nm dec ( ) 技术 例如软X 射线、电子束直写等 . 通常先制作 要有三种途径. 其一是低能离子注入后快速热处理 较细的光刻胶线条, 再进行等离子体灰化以得