433MHz ASK接收机射频前端电路设计.pdfVIP

第3O卷 第4期 固体 电子学研究与进展 Vo1．30，No．4 2O10年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2O10 433MHzASK接收机射频前端电路设计 徐 萍 何 伟 张润曦 赖宗声 (华东师范大学微 电子 电路与系统研究所 ，上海 ，200062) (z华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心，上海 ，200062) 2009—03—19收稿 ，2009—09—04收改稿 摘要：设计了一款应用在433MHzASK接收机中的射频前端 电路。在考虑了封装 以及ESD保护 电路的寄生效 应 的同时，从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论 了低噪声放大器和下混频器 的电路设计 。采用 0．18btm CMOS工艺，在 1．8V 的电源 电压下射频前端电路消耗 电流1O．09mA。主要 的测试结果如下：低噪声放大器 的噪声 系数、增益、输入Pdn压缩点分别为 1．35dB、17．43dB、一8．90dBm；下混频器的噪声系数、电压增益、输入PdB压缩 点分别为 7．57dB、1O．35dB、一4．83dBm。 关键词 ：下混频器 ；射频前端 ；低噪声放大器 ；接收机；超高频 中图分类号 ：TN431．2；TN722．3 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(201O)04—0543—07 DesignoftheRF Front-endCircuitsfor433M HzASK Receiver XU Ping HE W ei ZHANG Runxi LAIZongsheng 。 (InstituteofMicroelectronicsCircuitSystem，EastChinaNormalUniversity，Shanghai，200062，CHN) (EngineeringResearchCenterforNanophotonics AdvancedInstrument，Ministryof Education， EastChinaNormalUniversity，Shanghai，200062，CHN) Abstract：TheRF front—endcircuitsfor433MHzASK receiverareproposedinthispaper． Thedesignmethodologyofthelow noiseamplifieranddown—mixerispresentedindetailfrom the aspectsofnoise，matching，voltagegain and linearity，with theparasiticeffectsofthepackage andESDprotectioncircuitbeingconsidered．Fabricatedin0．18 m CMOSprocess，theRFfront— endcircuittotallyconsumes1O．O9mAfrom 1．8Vpowersupply．Themajormeasurementresults aredescribedasfollows：the1OW noiseamplifierachieves1．35dB NF，17．43dBgainand 一8．90 dBm input—referred尸1dB(at5O12inputimpedance)；thedown—mixerfeatures7．57dBNF，1O．35 dB gainand一4．83dBm input—referredP1dB(at100Q inputimpedance)． Keyword