太赫兹波频域的GaAs材料特性.pdfVIP

第29卷，第3期 光谱学与光谱分析 V01．29，No．3，pp577—579 2009年3月 and Analysis March，2009 SpectroscopySpectral 太赫兹波频域的GaAs材料特性 李九生 中国计量学院太赫兹技术及应用研究所，中国计量学院信息工程学院，浙江杭州310018 摘要利用返波振荡器(BWO)系统对不同电阻率的GaAs在太赫兹波段的透射谱进行了测试，并对太赫 兹波透射谱进行了计算和分析，得到不同电阻率的GaAs材料在太赫兹波0．23～o．375THz波段范围的折 射率、吸收系数和介电常数实部和虚部等光学特性参数。实验结果表明，不同电阻率的GaAs在整个测试太 赫兹波频段内的折射率，吸收系数，介电常数实部和虚部均随着电阻率的增加而增加。高电阻率的GaAs材 料对太赫兹波的吸收iltd,，其最小吸收系数可达到3．87×10_4咖。同时也表明采用返波振荡器系统研究 分析GaAs在太赫兹波段特性是可行的。研究不同电阻率的GaAs在太赫兹波段的光学特性，对设计高效率 太赫兹波天线具有重要意义。 关键词返波振荡器(BWO)；砷化镓；吸收系数 中图分类号：0434．1文献标识码：A DOI：10．3964／j．issrh1000—0593(2009)03—0577—03 1．71×10-3～2．42×108 flcm)在太赫兹波波段的折射率、吸 引 言 收系数和介电常数等光学特性参数。从实验上论证了BWO 系统测试GaAs材料的光学特性是可行的，同时也为GaAs THz(1THz=10”Hz)， 太赫兹波是指频率在0．1～10 材料在太赫兹波频段的应用提供了很好的基础。 波长为300030,um范围内的电磁波。它在长波段与毫米 波(亚毫米波)相重合，而在短波段与红外线相重合，太赫兹 1性能测试 波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。由于在相当长时间里 THz波源的问题未能很好解决，太赫兹波科学技术的发展受 测试用的GaAs样品由SemiconductorCo．提供，晶向 (100)，厚度分别为270，350和475 到很大的限制，从而使其应用潜能未能发挥出来。研究发现 tan，电阻率分别为1．71 太赫兹波可用于活体成像、国家安全、生物医学、农业、无 ×10～，4．54×107和2．42×108flcm，在本实验测试中分 损检测以及THz通信等许多领域[1棚。由于太赫兹波具有广别对应1号，2号和3号样品。测试用的BWO太赫兹波实验 泛的应用前景，如今世界上许多国家都开始致力于THz技 系统如图1所示。测试频率范围从0．23到0．375THz。光束 术的研究，尤其在THz波产生技术、THz波探测，以及太赫入射角为0。，整个测量过程在室温和大气气氛中进行。 兹波应用等方面。 砷化镓(GaAs)是产生太赫兹波的半导体异质结构激光 器、太赫兹波发射天线及接收天线的基本材料，目前对 GaAs在太赫兹波频段的光学特性研究还比较少。当前能用 于对半导体材料的太赫兹波特性进行测试的太赫兹波系统主 要有：太赫兹波时域系统(TDS)和返波振荡器(BWO)系统， 已有利用TDS进行测试液体，爆炸物材料，聚合物和气体等 测试的报道[¨6|。本文利用BWO太赫兹波系统对不同电阻 forbackward-wave