Bi2S3纳米带的制备及其谱学性能研究.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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Bi2S3纳米带的制备及其谱学性能研究.pdf

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第29卷，第1期光谱学与光谱分析 00 and 2 9年1月 SpectralAnalysis January，2009 Spectroscopy Bi2S3纳米带的制备及其谱学性能研究鲁娟，韩巧凤，杨绪杰’，陆路德，汪信南京理工大学材料化学实验室，江苏南京210094 摘要以硝酸铋、硫代乙酰胺和氨三乙酸等为原料，利用水热法在180℃下反应12h得到Bi2S纳米带。 6nnl，b一 X射线粉末衍射结果表明产物对应于正交晶相的Bi2S(JCPDS：17-320)，晶胞参数为a=1．110 1．099 2 9 4 1 3rUTI，c=0．389 nnl，b=1．130nlTl，c0．398rim)基本一致；通 nlTl，与文献报道值(a=1．114 过透射电镜观察其形貌为均匀的带状，宽约100nrfli高分辨透射电镜照片显示晶体沿Y轴优先生长；通过对x射线光电子能谱分析得到B．和S的原子个数比例约为2：3，与目标产物BizS3的计量比一致；测试显 cln-1处，与块体Bi2S(236crfl-1)相比，其吸收峰红移了41cl-n～，示Bi2S纳米带的拉曼吸收峰出现在195 体现了纳米材料的表面效应。紫外一可见吸收光谱研究发现Bi2S3纳米带在450nln左右有吸收，计算得到 Eg约为1．58eV(块体BizS的Eg为1．3eV)，在光电领域有潜在的应用价值。关键词BizS纳米带；带隙；谱学特性中图分类号：0433．1文献标识码：A 引言纳米材料具有特殊的结构和性能，可广泛应用于化学、物理学、电子学、光学、机械和生物医药学等领域[1。5]。其中一维或准一维纳米结构体系的研究既是研究其他低维材料的剂有限公司)，试剂均为分析纯。基础，又与纳米电子器件及微型传感器密切相关，是近年来 X射线粉末衍射仪(D8 国内外研究的前沿睁9|。 —O．154 11m，40kV／30mA)，H一800型透射电子显微镜(日 1．3 Bizs3是一种重要的半导体材料，禁带宽度B eV。立公司)，瑞利1100型紫外一可见分光光度计(北京)，激光拉随着Bi2S结构的纳米化，不仅能引起吸收波长与荧光发射曼光谱仪(Renishaw 发生蓝移，还能产生非线性光学响应，可以用作发光二极 Elmer 253．6 PHl5300，MgKa(hv=1eV)。 6。，极管、光电材料等[协15]。BizS3由于本身存在链状结构[1 1．2样品的制备易形成棒状，关于带状的报道较少，文献[17]中以BiCh和S 称取9．557g氨三乙酸溶于20m