PZT铁电薄膜的制备与性能.pdfVIP

第37卷 增刊1 稀有金属材料与工程 V01．37，Suppl．1 2008年 1月 RAREMETALMATERIAI，SANDENGnqEERING J明明呵2008 PZT铁电薄膜的制备与性能 张兴国，刘 军，骆英 (江苏大学材料科学与工程学院，江苏镇江212013) 摘 定性，并抑制热处理时薄膜上裂纹的产生。薄膜在700℃热处理可以得到单一的钙钛矿结构；低温慢升高温快升的升温 制度可以减少薄膜的开裂。Pt底电极的加入有利于钙钛矿相的形成。PZT薄膜电滞回线形状和Pr、Ec等随着热处理制 度和薄膜厚度的变化而变化。 关键词：薄膜；铁电性能；热处理 中图法分类号：TQl71．4+13文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2008)s1．717．04 分、均匀，PzT溶胶。溶胶的浓度可以通过蒸发或加 1 前 言 入乙二醇单甲醚进行控制，本实验制膜用溶胶浓度控 PZT具有优异的铁电、压电、热释电等性能，其 制在0．4mol／L左右。 应用越来越广泛【¨。针对PzT制备中有机锆盐价格昂 2．2 PzT薄膜的制备 nm 贵、制备对设备要求高等缺点，本文选用无机盐硝酸 在A1203基片上用小型等离子溅射仪溅射150 锆作为锆源，醋酸铅、钛酸四丁酯为主要原料，制备 的Pt金属层作为底电极。在Kw二4A型台式匀胶机上 PZT薄膜。此外，目前大部分PZT薄膜的制备均以单进行甩胶制膜。薄膜干燥后先以缓慢速的加热速率(2 晶硅为衬底材料，而单晶硅与PzT的晶格失配度大， ℃／min)升温至薄膜的高温热解温度，再以较快的升 必须加入中间层。如以Pt为电极时一般形成 温速率(15℃／min)对薄膜进行烧结，并在每沉积5 Si／Si02厂ri／Pt／PzT的结构，不仅工艺复杂，而且成本层薄膜时预退火。对所制备薄膜进行XRD和SEM分 较高。本文选用价格便宜、化学性质稳定的A1203为析。在PZT薄膜的上表面沉积约直径约为2mm、厚 基片，直接溅射一层Pt底电极，制备PzT薄膜，可度约为50 以节约成本和简化制备过程。文章研究了PZT薄膜制 型铁电性能综合测试仪进行PzT薄膜铁电性能测试。 备过程中抑制裂纹产生的途径，并探讨了A1203基片 上PZT的晶化过程，具有较强的实用价值。 Au PZT 2 实验过程 R 2．1 PZT溶胶的配制 Ab03 以醋酸铅、硝酸锆、钛酸四丁酯等为原料，按 Pb／Zr／Ti=106／53／47的摩尔配比配制浓度为O．4mol／L 图l PzT薄膜结构示意图 的溶胶。其中，醋酸铅用冰醋酸加热溶解，硝酸锆用 Fig．1StnIctIl化ofPZTfiIm 乙二醇单甲醚超声溶解，钛酸四丁酯用乙二醇单甲醚 超声溶解，并用稳定剂乙酰丙酮对其进行稳定。前体 3结果及讨论 溶液配好后，先把Zr和Ti的前驱体溶液混合，再把 混合液加入到80℃左右的铅前驱体溶液中，同时加入 3．1 乙酰丙酮的作用 醋酸或甲酰胺调节pH值至3．0～3．5，加入少量水控制 钛酸四丁酯是一种极不稳定的金属醇盐，在PZT 溶胶的水解度，在80℃左右磁力搅拌使混合液反应充 溶胶配制过程中遇水会发生强烈的水解与缩聚反应【2】： 收稿日期