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第23卷第4期 无机材料学报 V01.23.No.4
Journalof Materials Jul..2008
2008年7月 Inorganic
文章编号:1000一324x(2008)04—0687—04
电泳沉积法制备Ba0.6sro.4Ti03厚膜及其电学性能研究
符云飞,樊慧庆,邓永丽,陈 晋
(西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安710072)
摘要:
了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性.实验结果表明:采用水热法制备纳米BST40粒子,经250MPa高
压压制,950。C热处理后,BST40厚膜可形成完整的立方钙钛矿结构且表面致密、无裂纹.E—y特性表明,
1kHz,不同温度F厚膜的电滞回线.在0。c时,其剩余极化强度为1.06肛C/cm2.
关 键 词:BST厚膜;电泳沉积;调谐率;电滞回线
中图分类号:TB321文献标识码:A
of ThickFilm
andElectrical BST
Preparation Properties Depositedby
Method
ElectrophoreticDeposition
FU Jin
1mn-Fei,FANHui—Qing,DENGYbng-Li,CHEN
ofS01idification ofMaterialsScienceand
Laboratory
(StateKey Processing,School
Polytechnical
university,xi’an710072,China)
mmwiththicknessof was
Abstract:Bao.6Sr04Ti03(BST40)thick33卢m preparedbyelectrophoretic
methodon substratetheBST40nano as A
deposition Pt/Ti/Si02/Si using powdersprecursor.high
treatmentwasirltroducedinordertoincreasethe anddecreasethe
pressure process density sintering
film
ofthefilm.The andsurface oftheBST40thickwerecharac—
temperature composition morphology
current wastested
terized.The£一ycurveoftheBST40thickfilmwasmeasured.The
leal(age density
thickfilmweremeasuredat Th
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