高纯、高度100择优取向金刚石薄膜.pdfVIP

第36卷 增刊l 耩有金属材料与工程 vol’36，sup一．1 RAREMETAL～LATERlALSANDENGINEERnqG2007 2007年 8月 AugIlst 高纯、高度【100】择优取向金刚石薄膜 王兵1，梅军2，丰杰2，李建国2 (I．西南科技大学材料学院，四川绵阳621010) (2．中国工程物理研究院结构力学研究所，四川绵阳621010) 摘墨：采用独特的形核．刻蚀．生长．刻蚀．生长…循环沉积工艺，用微波等离子体化学气相沉积(MwPcVD)法制备出 谱和sEM对照分析证实膜材的金刚石相组成纯净度高，是高纯、高度(100】择优取向的织构金刚石薄膜。暗电流^y特 性测试结果表明，这种薄膜的电阻率达到IO¨数量级蛆上，比常规工艺制备的膜高近两个数量级，是一种性能优良的电 子薄膜材料。理论分析表明，薄膜电阻率大幅度提高的原因在于膜层中非金刚石相古量的显著减少。 关键词：金刚石薄膜；择优取向：电阻率 中图法分类号：0484；TB43文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2007)Sl·0942一04 膜展开深入的研究。 1 引 言 2实验 金刚石薄膜的禁带宽，电阻率和热导率大，载流 子迁移率高，介电常数小．击穿电压高，是一种性能 金刚石膜的沉积在石英钟罩式MwPcvD装置 优异的电子薄膜功能材料Ⅲ，应用前景十分广阔。但 上进行。以0．5 由于目前采用化学气相沉积(cvD)法台成的金刚石片作为基材，沉积前用手工研磨结合超声悬液研磨的 膜通常为多晶结构口】，杂质缺陷含量较高，严重削弱 两步法对其进行表面划痕预处理。沉积过程中分别以 了材料的性能，尤其是电学性能，使其电学应用受到 常规工艺条件和形核垓0蚀．生长垓0蚀一生长…循环工 极大的限制。因此，如何制备成分、结构和性能与最 艺进行取向金刚石薄膜生长；其中常规工艺条件是指 高质量的IIa型天然金刚石接近的高纯、高度取向金 在整个金刚石膜沉积过程中，所有工艺参数均保持不 刚石膜【3J乃至单晶膜【4】、并开发其电学方面的应用。 变，并且金刚石膜的形核、生长过程连续进行直至沉 一直是cvD金刚石膜研究领域里的一个重要方向。 积结束的工艺步骤；形核．刻蚀．生长．刻蚀．生长…循 在已研究过的多种金刚石取向膜中．与【111】． 环沉积工艺是在常规工艺的基础上改进变化而成，即 [110】织构膜相比，[100]织构膜有光滑的表面、较少在形核结束后，关闭CH。气源，仅通入H2，形成H 的缺陷及较低的应力【5】、较高的热导率【61以及较大的 等离子体对晶核作刻蚀净化处理；净化处理完后再通 载流子收集距离【7】．更适合于在热学、光学、电子学 入cH。气使膜正常生长，之后每当膜生长一段时间即 等方面的应用。但¨001取向膜用于制作电子器件时， 间隔用纯H等离子体作一定时间的刻蚀，这样循环 仍存在一个较为突出的问题：它的电阻率相对偏低， 操作直到沉积结束，以便在保持薄膜原有取向性不变 甚至小于非织构膜，结果导致相应器件的噪声大，信 的同时，提高相组成纯度。经优化得到的制备[100】 噪比差，作探测器时会严重影响到对小信号(即小剂 织构金刚石膜的两种工艺参数条件分别列于表l、表 量)的测量。其原因在于通常条件下沉积的【100】取2中。 向膜往往因工艺因素使非金刚石相含量较多【8～，薄 为有效消除所得薄膜表面的低电阻层，提高膜材 膜电阻率不高，影响了用它做成器件的综合性能，因 的电阻率，金刚石膜生长结束后进一步进行原位氧等 而有必要就如何进一步提高其电阻率(主要通过提高 离子后处理：即关掉cH。和H2气源，通入02，流量 膜