多晶硅微悬臂梁断裂失效强度的尺寸效应.pdfVIP

中国机械工程第 12 卷第 11 期 2001 年 11 月 文章编号: 1004- 132 (2001) 11- 1228- 04 多晶硅微悬臂梁断裂失效强度的尺寸效应 丁建宁　孟永钢　温诗铸 　　　　摘要: 为了了解构件尺寸的微型化给材料的强度和弹性模量带来的影 响, 利用纳米硬度计通过微悬臂梁的弯曲实验来测量其力学特性。该方法可 精确测量微悬臂梁纳米级弯曲形变, 但必须考虑压头在微悬臂梁上的压入及 微悬臂沿宽度方向的挠曲。试验研究表明, 多晶硅微悬臂梁的平均弹性模量 ( ) 为 156 GPa ± 4. 52～ 9. 83 GPa, 其失效断裂强度表现出对构件有效体积和 表面积的尺寸效应。由实验测得的失效强度得到 C = 1. 62 · 12 , 计算 K M Pa m 丁建宁　副教授 出的缺陷尺寸 为 58～ 117 。 a nm 关键词: 力学性质; 微机械; 薄膜; 多晶硅; 纳米硬度计 中图分类号: TB 03　　　文献标识码:A 　　微系统及其相关技术的研究是 21 世纪被普 量和强度的影响非常重要, 目前这仍是一个未解 遍看好的一个崭新研究领域。在实验室, 科学家在 决的问题。笔者利用纳米硬度计来研究评价试件 芯片上研制各种M EM S 器件, 应用于数据存储、 的尺寸对其力学特性的影响。 细胞融合、微卫星的推进系统和核武器的微安全 1　实验方法 开关机构等多种场合, 但是对“ 装置的失 M EM S 效机理及如何建立失效模型”这一问题仍未能有 1. 1　实验样品 [ 1 ] 实验样品在北京大学微电子所微米纳米加 效解决 。对微观条件下的机械系统的运动规律、 微小构件的物理特性和受载之下的力学行为等尚 工技术国家重点实验室制作。样品材料采用 缺乏充分的认识, 还没有形成基于一定理论基础 M EM S 装置中通常采用的L PCVD 多晶硅。首先 ( ) ( ) 之上的微系统的设计理论与方法, 因此只能凭经 采用L PCVD 法在 127mm 5 inch 、100 晶格取 向的 型硅片上依次氧化( 2 ) 、淀积 3 4 , 然 验和试探的方法进行研究。对各种M EM S 器件 N SiO SiN 后将硅片背面的 3 4 刻蚀掉, 并且将背面的 长期可靠性的研究还需要很多有关微构件的疲劳 SiN 和断裂的基础数据, 微构件的弹性系数还影响甚 SiO 2 腐蚀掉。用 KOH 腐蚀硅片, 直到余下 40 m 至决定微型传感器的静态力学特性和动态力学特 厚, 之后再刻蚀硅片正面的 Si3N 4 。刻蚀完成以后, 性, 这在某种程度上就需要更加精确的测试和评 采用L PCVD 法淀积 2. 4 m 厚的多晶硅薄膜。在 定微构件的力学特性的方法, 而采用通常的方法 1050℃下, 氮气烘 1h 自然冷却去应力, 然后, 采用 很难得到材料特性的准确值