基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究.pdfVIP

第20卷 第7期 传 感 技 术 学 报 VO1．20 No．7 2007年 7月 CHINESEJOURNAL OF SENSORSAND ACTUATORS JgL．2007 A StudyofHighSensitivityCircuitBasedonNegativeImpedance EffectforCapacitanceTransducer CAO Wen ，LIUChun—mei，SHANGLi—ping，CHEN Hai—yan (SouthwestUniversityofScienceandTechnology，MianyangSichuan621010，China) Abstract：Capacitivetransducerssensitivityisnothighenough ．Especiallywhenoriginalcapacitanceofca— pacitivetransducerislargeandtheincrementalcapacitanceislittle，thecomparativesensitivityofsystem is toolow to measurethevarietyofdataaccurately．Associatingwith thetheoryofnegativeimpedance effect，theoriginalcapacitanceofcapacitivetransducerwillbereducedduetonegativecapacitivecompensa— tion．Theresolutionandsensitivityareimprovedwell，andthecostofcircuitislower． Keywords：capacitivetransducer；sensitivity；negativeimpedanceeffect EEACC：7230；7310 基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究* 曹 文 ，刘春梅 ，尚丽平 ，陈海燕 (西南科技大学信息工程学院，四川 绵阳621010) 摘 要 ：电容传感器灵敏度较低，特别是在传感器本体的初始电容量较大、而测量过程中的增量电容量又较小时，系统的相 对灵敏度常常会低至无法准确得出被测参数的变化情况．结合负阻效应逆转正电容的原理，对传感器的初始电容进行负向补 偿以降低初始电容量，就能够以很低的电路成本实现系统分辨率与灵敏度的提高． 关键词 ：电容传感器；灵敏度；负阻效应 中图分类号：TP212 文献标识码：A 文章编号：1004．1699(2007)07·1539·03 电容传感器具有动态响应速度快、测量精度高 等优点，特别是在测量直线位移、角位移时需要的机 械力矩很小且不需要进行任何形式的预变换，因而 在尺寸、位移、压力及加速度等物理量的非接触式测 量领域应用广泛． 图1 c-f式电容传感器测量电路 在图 1中，运放、传感器本体电容及外围电阻器 1 c-f式电容传感器测量电路参数分析 件构成了基本的自激式多谐振荡电路，输出方波频 传统的电容传感器测量电路主要是将 电容量改 率 -厂与传感器电容Cx间的函数关系为： 变转换为电压或电流的变化，输出多数为模拟信号， f==—————————————————一 与数字系统连接时需要增加一级A／D转换单元． 2R ln(+2R3) (1) 采用 c-f变换的电容传感器 电路是将 电容容 量的微小变化转换为频率量的输出，再利用通用的 对于变极距型单极板电容传感器，在外力作用 计数器电路(如：IC