合物半导体外延晶片的质量评估.pdfVIP

维普资讯 1S蝴 年 第 3期 光 通 信 研 究 (总第 87期) STUDYON 0PTICALCOMMUNICA丁l0NS S… NO 87 11I—V族化合物半导体外延晶片的质量评估 ／— — 、 丁 国 庆 (武汉邮电科学研究院 430074) 3口 t 摘 要 本文介绍 了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检剥方法 ．几个典型测试 结果 最后给 出了几个外延 晶片材料质量评估 的参照标准 。 。 63 关键词 墨堕丝盐拭盐 位错与缺陷 X射线双晶衍射 垄墓垄堂 中图分类号 0471．4 I 铹哼 QualityEstimationofⅢ一V GroupCompound Sem iconductorEpitaxyChips DingGuoqing (W uhanResearchInstituteofPostsandTelecommunications，M ．P．T， 430074) Abstract Themain factorsaffecting thequalityofsemiconductorheter。structure epitaxychips，inspectionmethodsandsometypicaltestresultshavebeeenintroducedin thispater．Finally，somereferencecriteriaforthequalityinspectionofepitaxychipma— terialsaregiven． Keywords heterostructurematerial， dislocationanddefect— X raydoublecrystal diffraction． photoluminescencespectrum 对 ⅡV族化 台物半导体外延晶片，除材料结构 片质量的工艺途径 ．提高外延晶片质量 ，从而为器件 参数 (如各品层厚度 、组份、能带隙、异质界面失配 制备提供优良的外延晶片，是质量检涮和材料制备 等)外．其晶片质量也是影响器件光 电性能及可靠性 技术人员共同的任务 的关键问题。影响外延晶片质量的因素是多方面的， x射线双晶衍射 和光荧光测试 m]，不仅可 如政陷、位错 、应力、界面不平整性 、深能级杂质 、P 以提供材料结构信息．而且可 以提供某些质量问题 N结偏位、组份及掺杂不均匀性等 异质外延晶片 信息．如缺陷、位错、应力、界面不平整性、非辐射复 有时观察其表面即可知其质量 ：如外延晶片表面 出 合状况、组份和掺杂横向不均匀性等 。因此，这些测 现 麻‘点’、白色雾状斑、表面呈浅兰色、表面呈平行 试也是材料质量评估的依据 状网络或蝌蚪状网络，这都是丹延品片质量低下的 本文除对外延晶片质量 问题作一般介绍外 ，主 标志。当然，外延晶片内层质量 只有通过仪器检滟f才 要对光荧光和双晶衍射测试反映的质量信息作较详 能知晓。总之，通过表观和仪器检测 ．对品片质量进 细的分析与讨论 。 行评估，发现外延晶片中的问题和不足 ．找出改善品 收稿 日期：1998一)2【-05