IDDQ测试技术及其实现方法.pdfVIP

38 电子产品可靠性与环境试验 　　　　1999 年第 1 期 IDDQ 测试技术及其实现方法 Iddq testing techniqure and its implementation 谭超元 　钟征宇 ( 电子部五所 　广州 1501 信箱 05 分箱 　510610) ( ) 摘要 : IDDQ 即静态电源电流 测试是近几年来国外比较流行的 CMOS 集成电路测试 技术。IDDQ 测试能够检测出传统的固定值故障电压测试 ( 即 SAF 功能测试) 所无法检测 ( ) 的 CMOS 集成电路内部的缺陷 如氧化层短路 , 穿通等 , 所以 , 能够明显提高 CMOS 集成 电路的使用可靠性。本文叙述了 IDDQ 测试的基本原理和 IDDQ 测试在集成电路测试系统上 的实现方法及测试实例。 主题词 : IDDQ 　电流测试 　CMOS 　缺陷 　可靠性 如果结果一致 , 则电路合格 , 结果不一致 , 1 　前　言 则电路不合格。如果缺陷出现在电路内部 , IDDQ 测试技术是在 CMOS 集成电路静 则必须把它“传递”到基本输出端才能被检 态功耗电流参数测试的基础上发展来的一种 测出来。 测试技术 , 它将电流测试与电压测试有机地 IDDQ 是指当 CMOS 集成电路中的所有 结合在一起 , 大大提高了故障覆盖率 [ 1 ] 。 节点都处于静止状态时的电源电流。IDDQ 然而 , 由于电流测试的速度远远低于电压测 测试与电压测试一样将测试图形加到基本输 试的速度 , 如果对大规模 CMOS 集成电路 入端 , 与电压测试的不同之处在于它不是在 的每一个功能测试向量都进行一次 IDDQ 测 基本输出端进行电压测试 , 而是在电源端或 试 , 将需要很长的测试时间。为了使 IDDQ 地端进行电流测试。良好的 CMOS 集成电 测试技术实用化 , 缩短 IDDQ 测试的时间 , 路没有静态电流通道 , 其 IDDQ 几乎为零。 1990 年前后国外在精简 IDDQ 测试向量的 IDDQ 的异常增大说明电路内部存在着缺陷 IDDQ 测试算法研究方面和提高 IDDQ 测试 (如栅氧化层短路、介质层间短路 , PN 结 ) 的速度和精度方面做了大量的工作 , 并取得 穿通等 , 在电源端和地之间形成了静态电 了明显的进展 , 如 QU IETEST 能够将 ID 流通道。图 1 说明如何用 IDDQ 来检测 DQ 测试向量精简到 SAF 功能测试向量的 CMOS 集成电路中的缺陷。 1 % [ 2 ] , 而在电流检测方面已经达到 缺陷 1 在两个输入端之间形成了电阻桥 μ 15kHz - 1MHz 的电流检测速度 , 1 A 的电 路 , 显然该缺陷是否影响电路的功能取决于 流检测精度 [3 ] 。 缺陷电阻的大小 , SAF 功能测试只能检测 出电阻较小的缺陷 , 但如果在缺陷两端施加 2 IDDQ 测试原理