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第 卷第 期 重庆邮电大学学报 自然科学版
年 月
应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计
张 莹 宋爱民 王培界
重庆邮电大学 光电工程学院重庆 重庆教育学院 图书馆重庆 重庆光电技术研究所重庆
摘 要对 应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计 通过理论计算和软件模拟相结合的方法
优化了量子阱的结构研究了波导层包层中的组分对量子阱激光器效率的影响 根据优化结果采用金属有
机化合物化学气相淀积 技术外延生长了激光器的材料 并进行测
试 测试结果表明 在室温下 当工作电流为 时 阈值电流为 斜率效率为 采用
未镀膜器件 输出功率为
关键词 单量子阱 压应变 组分 金属有机化合物化学气相淀积 转换效率
中图分类号文献标识码 文章编号
周围组织损伤小还具有很好的凝固止血效果因
引 言
此 高功率 半导体激光器可以被用作医疗上
半导体激光器具有很高的电光转换效率 它最
的激光手术刀 高功率 应变量子阱半导
重要的应用之一是作为固体激光增益介质的泵浦 体激光器具有阈值电流密度低增益系数高温度
源 目前 的半导体激光器在光通讯 军 特性好等优点更适于制作高功率和长寿命的激光
事和医疗等领域均得到了广泛的应用 器 并且其发射波长在 范围内 填补
半导体激光器是掺铒光纤放大器的最 了匹配的和材料的发射
理想泵浦源 由于掺饵光纤放大器具有全光纤特
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