电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜.pdfVIP

下载本文档

5
0
约1.81万字
约 6页
2017-09-11 发布于山东
举报
版权申诉

电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第39卷第4期人工晶体学报 v。1．39No．4 OFSYNTHETICCRYSTALS 2010年8月 JOURNAL August，2010 电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜夏冬林，王慧芳，石正忠，张兴良，李蔚 (武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，武汉430070) 摘要：以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体，利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜，最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中，在外加电场辅助条件下，在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜。本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征。实验结果表明，在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下，非晶硅薄膜在500℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜，并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长，薄膜的晶化程度增强，晶粒尺寸增大。关键词：非晶硅薄膜；多晶硅薄膜；金属诱导晶化；等离子体增强化学气相沉积中图分类号：0484．1 文献标识码：A ElectricFieldAidedAI-induced of Crystallization Amorphous SiliconThinFilm XIA Wei Dong—lin，WANGHui-fang．SHIZheng—zhong，ZHANGX讯g—liang，H ofSilicateMaterialsScienceand of of (KeyLaboratory Engineering。MinistryEducation，WuhanUniversityTechnology，Wuhan430070，China) 6March 3 (Received2010，acceptedMay2010) and asreactive siliconthinfilmswere Abstract：UsingH2 hydrogen—dilutedSiH4 gas，amorphous deposited PECVDmethodon thenaluminumthinfilmWas onthe silicon substrates，and by glass preparedamorphous thinfilm methodthe were annealedin usingmagnetronsputteringand samplessubsequently N2atmosphere undertheconditionofelectricfield．Inthis effectsofdifferentelectricfield and paper，the intensity t