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AN-6099 ® 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench MOSFET 提高同步整流 应用的系统效率和功率密度 摘要  这在拓扑以高开关频率运行时成为一个问题。在高开 关频率下，这将产生漏电流。 高性能转换器设计中的同步整流对于低电压、高电流应  需要低 t 低 Q 和软恢复的体二极管来避 用至关重要，这是因为通过将肖特基整流替换为同步整 RR、 RR 流 MOSFET 能够显著提高效率和功率密度。同步整流 免瞬间击穿电压并减少损耗。硬恢复二极管需要在每 MOSFET 的很多关键参数甚至器件和印制电路板的寄生 个 MOSFET 中使用缓冲器。 元件都会直接影响同步整流的系统效率。优化 MOSFET  低 Qgd/Qgs 比例有助于防止动态导通。 对于提高效率非常重要 。采用屏蔽式栅极技术的 ® Np:Ns L1 PowerTrench MOSFET能够同时显著降低导通电阻和栅极 电荷（这通常是互相矛盾的）。通过软开关二极管特性 ，新型功率 MOSFET 能够减少在缓冲器电路中产生额外 C R o LOAD 损耗的电压尖峰。为了提高系统效率和功率密度，本文 D1 ® 对新型 PowerTrench MOSFET 的特性进行了介绍，并与 市场上的其他功率 MOSFET 进行了比较。这些 MOSFET 的优势体现在目同步整流器中的目标应用领域。 D2 简介 L2 (a) 二极管整流 随着我们的经济从文件式管理方式转变为数字信息管理 方式，进行数据处理、存储和联网的数据中心在很多行 Np:Ns L1 业起着非常重要的作用。然而，为数据中心供电和制冷 却变得越来越昂贵。在现代数据与通信电源系统中，更 C R 高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为制作小 Q1 o LOAD 型高效电源系统意味着节省空间和能源费用。从拓扑角 度来讲，将来自变压器的交流电压转换回直流电压的同 步整流成为很多应用中开关电源次级侧的基本构建模块 Q2 。本解决方案能够提高这些转换级的效率，同时能够减 L2 少传导损耗和开关损耗。[1]- [3]因此，同步整流在低电压 和高电流应用（比如服务器电源或通信整流器）中应用 (b) 同步整流 非常普遍。如图 1所示，同步整流替代了肖特基整流 图 1. 二极管整流和同步整流 器，支持更低的压降。从器件角度来讲，功率 MOSFET 在二十世纪 70 年代早期引入平