4HSiC紫外光光电晶体管模拟与分析.pdfVIP

　西安理工大学学报 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（２０１１）Ｖｏｌ．２７Ｎｏ．１　 １ 　　文章编号：１００６４７１０（２０１１）０１０００１０６ ４ＨＳｉＣ紫外光光电晶体管模拟与分析 史瑞，陈治明 （西安理工大学 自动化与信息工程学院，陕西 西安７１００４８） 摘要：根据光电晶体管的物理机理和 ＳｉＣ材料参数，建立了４ＨＳｉＣ紫外光电晶体管的数值模型， 利用Ｓｉｌｖｃｏ软件对其ＩＶ特性和光谱响应等特性进行了模拟与分析；通过研究４ＨＳｉＣ紫外光电晶 体管不同结构尺寸下的光谱响应特性，对其各区掺杂浓度与厚度等参数进行优化设计。结果表 明，优化后的光电晶体管光谱响应范围为２００～３８０ｎｍ，峰值波长为２７０ｎｍ，相应的响应度为３００ Ａ／Ｗ，而对可见红外光的响应度均小于２Ａ／Ｗ，具有较高的紫外光分辨率，可以实现在较强的红外 及可见光背景下有效地进行紫外光探测。 关键词：４