AuSrTiO3Au界面电阻翻转效应的低频噪声分析.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 19 (2013) 197201 Au/SrTiO /Au 界面电阻翻转效应的低频噪声分析* 3 12 3 3 3 3 3† 王爱迪 刘紫玉 张培健 孟洋 李栋 赵宏武 1) ( 北京矿冶研究总院, 北京 100160 ) 2) ( 北矿新材科技有限公司, 北京 102206 ) 3) ( 北京凝聚态物理国家实验室, 中国科学院物理研究所, 北京 100190 ) ( 2013 年5 月7 日收到; 2013 年6 月19 日收到修改稿) 本文研究了Au/SrTiO /Au 三明治结构中的双极电阻翻转效应, 观察到高、低阻态的电阻弛豫现象. 低频噪声测 3 量表明高、低阻态的电阻涨落表现出1f 行为. 对比试验表明, 高阻态的低频噪声来源于反向偏置肖特基势垒和氧 空位的迁移, 强度较大, 低阻态的噪声则源于类欧姆接触底电极区域的氧空位迁移导致的载流子涨落, 强度较低. 同 时, 界面上氧空位浓度的弛豫导致了高、低阻状的弛豫过程. 关键词: 电阻翻转效应, 低频噪声, 氧空位 PACS: 72.20.i, 71.30.+h, 73.50.Td DOI: 10.7498/aps.62.197201 以反应出导电通道的一些性质, 例如, 除热噪声和 1 引言 散粒噪声之外在在低频范围内会产生 1f 噪声, 可 以揭示出导电通道内相关缺陷分布的信息1518 , 在外加电场作用下, 金属/氧化物/金属三明治 同时, 器件的电子噪声也是检验电子器件质量和可 结构的电阻可在高低阻态之间实现可逆翻转, 称为 19 靠性的一个关键指标. 在以前的工作中 , 我们研 15 电阻翻转效应 . 由于具有优良的信息存储特 究了Au/SrTiO /Au 体系高、低阻态下热电Seebeck 3 性, 被人们认为是下一代高密度非易失性存储器的 系数随温度的变化关系, 通过对比实验发现电阻转 有力候选者. 电阻翻转效应一般表现为单极和双极 变过程只发生在底电极与钛酸锶界面附近的区域 翻转两种现象, 人们对其物理过程做了不同的模型 内. 在本工作中, 我们利用低频噪声测量技术研究 解释369 , 其中包括: 电场诱导的导电熔丝的破缺 了Au/SrTiO /Au 三明治结构的双极电阻转变过程 3 和形成, 肖特基势垒, 空间电荷限制电流模型, 氧化 中的弛豫过程和低频噪声特征, 发现氧空位的迁移 还原反应, 氧空位的诱捕和释放等等. 随着研究的 和反向偏置的肖特基势垒的存在是导致弛豫和1f 深入, 人们越来越倾向于认为电阻翻转效应是器件 噪声的主要原因.