纯钼骨架熔渗Mo-Cu合金工艺研究.pdfVIP

第 28卷第3期 中圈鹆毋 V01．28，NO．3 2013年6月 ChinaTungstenIndustry Jun．2013 DOI：10．3969／j．issn．1009—0622．2013．03．009 纯钼骨架熔渗Mo—Cu合金工艺研究 赵 虎，庄 飞，刘仁智 (金堆城钼业股份有限公司，陕西 西安 710077) 摘 要：研究了利用纯钼骨架熔渗法制备Mo70Cu30、Mo60Cu40(质量分数)合金的相关工艺。结果表明：试验原料 可选取经高温预处理及筛分后费氏粒度为5．2 m，粒度分布范围较窄及C、O含量低的纯钼粉，不添加诱导Cu粉。 利用限位法压制成型的钼素坯经H，气氛在 1200～1300oC预烧结出孔隙率 s(％)为 33．5％、45．2％的纯钼骨架，在H， 气氛熔融态 Cu中经 1200～1350℃熔渗 60120min可制得 Cu含量为 31-3％、40．7％的Mo70Cu30、M060Cu40合 金。利用纯钼骨架熔渗法制备的Mo—Cu合金相对密度可达到98％以上，微观形貌可见M0、cu两相均匀分布。 关键词：Mo—cu合金；纯钼骨架；熔渗 中图分类号：TF12 文献标识码：A 以传统的熔渗工艺为主。 0 前 言 传统的Mo—Cu合金熔渗工艺分为两种，一种是 Mo—Cu合金一般是两相既不互相固溶又不形 在Mo粉中添加诱导Cu粉制备骨架后再熔渗 Cu； 成金属间化合物的“假合金 ”(pseudo—alloy)Ⅲ，其性 另一种是利用纯Mo粉制备骨架后再熔渗 Cu，有研 能兼具Mo的高强度、低膨胀系数及 Cu的高导电、 究指出为获得较高致密度的Mo—Cu合金，前者适合 高导热等性能，并能以控制 Cu含量的变化实现可 制各 Cu含量大于 25％的Mo—Cu合金产品，后者适 调节的膨胀系数，因此广泛应用在电接触材料、电子 合制备Cu含量在 5％ 25％的Mo—Cu合金产品Il31。 封装材料、散热材料等领域2_【3】。 笔者认为在第一种工艺中还存在如下问题：首先 由 传统的Mo～Cu合金制备方法有混粉烧结法、熔 于Mo粉、Cu粉粉体的形貌、流动性及松装密度等 渗法、液相烧结法等方法[2-51，新近的研究方法集中 物性差异，难 以确定较佳的混料转速、时间等参数； 在基于将粉末细化方向的机械合金化 (MA)法[61、氧 其次混料的均匀性难以评判；另外长时间的混料也 化物共还原法7]【、溶胶一凝胶法 (Sol—Ge1)嘲、机械一热 会导致 C、O、Fe、Ni等杂质升高并影响Mo—Cu合金 化学合成法191、溶胶一喷雾干燥一煅烧一氢气还原㈣等 产品的最终使用性能。在笔者完成的Mo—Cu合金制 方法；基于复杂形状产品近净成型的注射成型 IIⅥ)方 备工艺试验中，采用不添加诱导Cu粉的纯Mo粉末 法 ·【]·；基于合金致密化烧结的活化烧结法[12J、等离子 预烧结成纯Mo骨架后熔渗 Cu的方法制备了Cu含 SPS快速烧结法[13]、激光烧结法㈣及挤压铸造法 等 量分别为 30％和 40％(质量分数)的Mo70Cu30、 方法；基于后续致密化处理的热等静压 (HIP)、复压 Mo60Cu40合金，并确定了适宜的熔渗工艺参数。 复烧、锻造、轧制变形研究等l¨I16—17]。上述这些制备 1 试 验 Mo—cu合金新方法、新工艺的发展为深入研究Mo— Cu合金的制备工艺提供了不同研究思路，但 目前这 1．1 试