单端反激式变压器的三个设计公式分析讲解.docVIP

关于单端反激式变压器的三个设计公式Three design dormulas of flyback transformer摘 要： 对三个设计公式的不同表述形式，进行分析和必要的推导，弄清其关系及正确与否。关键词： 初级（临界）电感 磁芯气隙 初级绕组 设计公式设计变压器离不开公式，有时发现几本著作的表述不完全一样。这就使一些刚入门的设计人员，无所适从，摸不着头脑。不同的表述，有的是所采用的参数不同，实际结果是一样的。但是，也有却是错的，不宜采用。现在，就以本人手头的三本书中，关于开关电源单端反激式变压器的三个主要的设计公式：求初级（临界）电感、计算磁心气隙和求初级绕组匝数，对它们的不同表述进行分析和必要的推导。这三本书为：《电子变压器手册》、《现代高频开关电源实用技术》和《 集成开关电源的设计制作调试与维修》。（以下分别简写为手册、技术和制作。）第一组公式：求初级（临界）电感 手册p.387. 技术p.76.制作p.108.第二组公式：计算磁心气隙 手册p.388.  技术p.75.技术p.75.制作p.109.第三组公式：求初级绕组匝数手册p.389.技术p.77.制作p.109.由于对各参数的单位进行了统一，上列各公式与原文相比作了一些变动。各参数的单位如下：Up1、Up2、E、Vi、Vo-V，T-μs，P-W，B-Gs，RL-Ω， g-cm，Ip-A，AL--nH/N2，Lp-μH。公式中参数关系有：n=ETon/VoToff，E=Vi=Up1，Vo=Up2。其中E、Vi、Up1指输入直流电压减去电路压降。公式计算均忽略了变压器效率。现在，先对第一组公式进行分析和推导。根据 可以得到：（1-1）根据2PoT=LpIp2可以得到: ， （1-2）由（1--1） 可知：LpIp=ViδT=ViTon， （1-3）由（1--2）和（1--3）可以得到：，（1-4）将 （1--4）代入（1--1）： ， （1-5）用E、D取代Vi、δ即为公式右端。将Po=Vo2/RL代入（1--5）于是有：分子分母均乘以T得到：(1-6)用E取代Vi即为公式中部。比较、两式，可以发现，只要证明就说明两公式一致。Up1、Up2分别用E、Vo代替。将n=ETon/VoToff代入：。第二组公式中，可以明显看出与两式中，必有一个是错的。分子一样而分母中一为ΔBm，一为 Bm2。在式的括号中：与 两者是有区别的。否则两者相减就等于0。AL是指磁心无气隙时的电感系数，而Lp则为有气隙时的电感值。磁心开气隙后的磁路有效长度 e=c+μ r （2-1）c 磁心磁路长度， μ r 相对磁导率。将（2--1）移项后，可以得到：μ r= e-c 再移项后，可以得到 ，（2-2） ，（2-3）将（2--3）移项后，可以得到：，（2-4）将（2--4）代入（2--2）后，可以得到：。 （2-5）μo 用0.4取代，不考虑系数此式与式完全一致。（2--3）为有气隙时的电感系数的公式。于是有无气隙时的电感系数的公式： ，（2-6）将（2--6）移项后，可以得到：，（2-7）将 （2--4）与（2--7）代入（2--2）有：，提出公共因子 μo Ae，。 （2-8）μo 用0.4取代，不考虑系数此式与式完全一致。Bm=μo μ r H=μo μ r NI/e， （2-9）将 代入（2--9）后，可以得到： ， （2-10）将（2--9）与（2--10）相乘，得到 ， （2-11）将（2--11）移项后，可以得到 ， （2-12）将 （2--12）代入（2--2）有：， （2-13）μo 用0.4取代，不考虑系数此式与式相差一个。实际上式将它省略了。最后结果是、、三式是一致的。而式则是错了。第三组公式中，可以看出与两式，实际上是一致的。问题在于同、是否相同。将（2--10）移项后，可以得到：， （3-1）（3--1）与、两式是一致的。将（2--9）移项后，可以得到：， （3-2）将（2--2）移项后，可以得到将它代入（3--2） ，（3-3）μo 用0.4取代，不考虑系数此式与式相差一个。式将它省略了。由于（2--9）=（2--10），因此、、三式是一致的。从三组10个公式中，推荐采用、、。设计举例：Po=100W，E=300V，δ=0.4，fsw=50kHz，T=20μs。Vo=20V，Io=5A。