材料科学基础I 7-9 实际晶体中的位错.pptVIP

* §7-9 实际晶体中的位错 前面介绍了位错的一般性质，本节将讨论实际晶体中的位错，特别是面心立方晶体中的位错。 一、面心立方晶体中的位错 1、全位错 定义：柏氏矢量为沿着滑移方向的原子间距的整数倍的位错。 若沿着滑移方向连接相邻原子的矢量为s，则全位错的柏氏矢量b=ns，为正整数，一般n=1，此时位错的能量最低。 FCC晶体的全位错的柏氏矢量应为b=a/2110，简写成b=1/2110。全位错的滑移面是{111}，刃型位错的攀移面（垂直于滑移面和滑移方向的平面）是{110}。 图中FCC晶体的滑移面为(-111)晶面，柏氏矢量方向为[110]晶向，b=1/2[110]；半原子面（攀移面）为(110)晶面，其堆垛次序为ababab… 将滑移面(-111)水平放置，攀移面(110)则为垂直位置，FCC中刃型全位错如下图所示。由于形成位错时不能改变FCC的晶体结构，故在a层和b层之间必须插入b、a两层半原子面才能形成全位错。 2、不全位错 柏氏矢量小于滑移方向上的原子间距的位错称为分位错；大于原子间距，但不是整数倍的位错称为不全位错。实际研究中没有必要将它们细分，可以统称为不全位错。 (1) Shockley分位错 右图所示为FCC晶体的(111)晶面（纸面），注意ABC三层原子的位置，b1为全位错柏氏矢量。当B层及以