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电子器件发展： 电真空器件（电子管） 分立半导体器件（晶体管） 集成电路 晶体管的历史： 1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿，研制出一种晶体管。于是影响人类文明进程的晶体管就此诞生,在重要性方面可以与印刷术、汽车和电话等发明相提并论。 1956年，这三人因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。 1947年制造的第一个晶体管是手工打造 ，现在一个针头的空间就能塞进去 6000多万个32nm晶体管； 新型晶体管FinFET：（鳍式场效晶体管，Fin Field Effect Transistor）； 利用一层SiO2绝缘薄膜的绝缘硅（SOI，Silicon-On-Insulator）芯片。 半导体及其特点 电子空穴对的形成：[AVI1-2] 二极管的应用——钳位 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 3 特性曲线 1. 输入特性 4 主要参数 1. 电流放大系数，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时，