半导体器件物理(第五章) 施敏 第二版.pptVIP

第5章 双极型晶体管及相关器件 5.1 晶体管的工作原理 5.2 双极型晶体管的静态特性 5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 5.4 异质结双极型晶体管 5.5 可控硅器件及相关功率器件 相关主题 5.1 晶体管的工作原理 晶体管的发明 理论推动 19世纪末20世纪初发现半导体的三个重要物理效应 光电导效应 光生伏特效应 整流效应 量子力学 材料科学 需求牵引：二战期间雷达等武器的需求 晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley，J. Bardeen、W. H. Brattain Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管 5.1.1 工作在放大模式 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构 B E C 典型数字集成电路中NPN晶体管剖面图 5.1.2 电流增益 5.2 双极型晶体管的静态特性 各区域少数载流子分布 基极区域 发射极和集电极 发射极电流 集电极电流 基极电流 结极性与少数载流子分布 工作模式 放大模式 射基结正，集基结反 饱和模式 两结都正向偏压 截止