第四章 常用半导体器件原理.pptVIP

第二章　集成运算放大器的线性应用基础 第四章 常用半导体器件原理 4-1 半导体物理基础 4-2 PN结 4-3 晶体二极管 4-4 双极型晶体管 4-5 场效应管 共发射极直流电流放大倍数： 共基极直流电流放大倍数： 换算关系： 晶体管的放大能力参数 晶体管的极电流关系 ?描述： ? 描述： 4.4.2　晶体管的伏安特性 一、输出特性 放大区(发射结正偏，集电结反偏 ) 共发射极交流电流放大倍数： 共基极交流电流放大倍数： 近似关系： 恒流输出和基调效应 饱和区(发射结正偏，集电结正偏 ) ?　 饱和压降 uCE(sat) ? 截止区(发射结反偏，集电结反偏 ) ?极电流绝对值很小 二、输入特性 　　当uBE大于导通电压 UBE(on) 时，晶体管导通，即处于放大状态或饱和状态。这两种状态下uBE近似等于UBE(on) ，所以也可以认为UBE(on) 是导通的晶体管输入端固定的管压降；当uBE UBE(on) 时，晶体管进入截止状态。 晶体管电流方程： 4.4.3　晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 近似伏安特性 简化直流模型 I——放大区 II——饱和区 III——截止区 4.4.4　直流偏置下晶体管的工作状态分析 　　实际应用需要使晶体管处于放大状态、饱和状态或截止状