实验25 用图示仪测量双极性晶体管的直流参数.docVIP

《电子器件》实验讲义 目 录 实验一 用图示仪测量双极型晶体管的直流参数 2 实验二 晶体管开关时间的测量 10 实验三 晶体管特征频率的测量 16 实验四 晶体管基极电阻的测量 22 实验五 晶体管功率增益和噪声系数的测量 28 实验六 双极型晶体管模型参数提取 36 实验七 MOS结构高频C-V特性测试 48 实验八 MOSFET模型参数的提取 54 实验九 发光二极管参数的测量 68 实验十 半导体激光器常用参数的测定 一 74 实验十一 半导体激光器参数测量（二） 80 实验一 用图示仪测量双极型晶体管的直流参数 晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。 晶体管直流参数测试仪很多 ，JT-1型晶体管特性图示仪是最常用的 一种。本实验的目的是了解JT-1型特性图示仪原理，掌握其使用方法，并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测，分析晶体管质量，分析晶体管质量，找出失效原因，作为进一步改进器件性能的依据。 一、实验原理 利用图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。图中BG代表被测的 晶体管，RB、EB构成基极偏流电路。取EB VBE,可使IB EB- VBE / RB基本保持恒定。在晶体管C-E之间加入一锯齿波扫描电压，并引入一个小的取样电阻RC，这样加到示波器上X轴和Y轴的电压分别为 Vx Vce V ca +V ac V ca-I c R c ≈V ca Vy -Ic.Rcα∝-Ic 图1测试输出特性曲线的原理电路 当IB恒定时，在示波器的屏幕上可以看到一根Ic—Vce的特性曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。 为了显示一组在不同IB的特性曲线簇Ici Φ Ici, Vce 应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使IB也有一个相应的变化，所以应将图1中的EB改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同的阶梯电压VB1 、VB2 、 VB3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流IB1 IB2 IB3…。只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期，如图2所示，就可以在T0时刻扫描出Ic0 Φ Ib0, Vce 曲线，在T1时刻扫描出Ic1 Φ Ib1, Vce 曲线…。通常阶梯电压有多少级，就可以相应地扫描出有多少根Ic Φ Ib, Vce 输出曲线。JT-1型晶体管特性图示仪是根据上述的基本工作原理而设计的。它由基极正负阶梯信号发生器，集电极正负扫描电压发生器，X轴、Y轴放大器和示波器等部分构成，其组成框图如3所示，详细情况可参考图示仪说明书。 图2基极阶梯电压与集电极扫描电压间关系 图3图示仪的组成框图 二、实验方法 描述晶体管的参数很多，双级型晶体管直流参数的测试主要包括： 1.反向漏电流和反向击穿电压的测试 将晶体管按规定的引脚插入之后，逐渐加大反向峰值电压，即可观察到晶体管反向伏－安特性曲线，进而可测出反向漏电流的大小。当反向电压增加到某一数值之后，反向电流迅速增大，这就是击穿现象。通常规定晶体管两级之间加上反向电压，当反向漏电流达到某一规定值时所对应的电压值即为反响击穿电压。 晶体管的反向漏电流和反向击穿电压有三种情况： ICBO, V BR CBO:E极开路时C-B之间的反向漏电流和反向击穿电压； IEBO, V BR EBO：C级开路时E-B之间的反向漏电流和反向击穿电压； ICEO, V BR CEO：B级开路时C-E之间的反向漏电流和反向击穿电压； 根据这些参数的定义，测试时分别将晶体管C、B级，E、B级和C、E级插入图示仪上的插孔C、E，然后加上反向电压，就可进行测量。测试ICEO, V BR CEO时，也可将晶体管E、B、C同时和图示仪连接，将基极阶梯信号选用“零电流”，在C、E级同时和图示仪连接，将基极阶梯信号选用“零电流”，在C、E级之间加上反向电压进行测量。 2.输入阻抗的测试 晶体管的输入特性对于共发射极电路来说是指IB和VBE的关系，输入阻抗用hIE表示。以npn管为例,将被测管E、B、C极分别插入图示仪插座空E、B、C，然后加大“峰值电压”，便可得到如图1所示的共发射极组态下的输入特性曲线。 共发射极输入阻抗用hIE的定义可表示如下： hIE＝аVBE/аIB|VCE 常数≈ΔVBF/ΔIB|VCE 常数 例如，若要测出当VBE＝5V,IB 40μA时的输入阻抗，可以调节“峰值电压”旋钮使VCE＝5V,“阶梯选择”置10μA