Yb：GdVO4晶体的缺陷研究.pdfVIP

维普资讯 第 25卷 第 4期 中 国 稀 土 学 报 2007年 8月 V01．25 № ．4 JOURNALOFTHECHINESE RAREEARTH SOCIETY Aug．2007 Yb：GdVO4晶体的缺 陷研究 于永贵，张怀金 ，王继扬，胡小波，于浩海 (山东大学晶体材料研究所，山东 济南 250100) 摘要：Yb：GdVO 晶体是一种很好的激光材料，但缺陷会对晶体的激光性能产生严重影响，开展对该晶体的缺陷研究有助于提高晶体质量。 采用提拉法生长了 25mmx20nln／，掺杂浓度为2％的Yb：GdV04晶体；分析了晶体的结构及其对晶体解理性的影响；采用化学腐蚀法，以 盐酸、氢氟酸为腐蚀剂，对晶体的主要晶面进行了化学腐蚀实验 ，通过其腐蚀坑形貌对晶体中的位错和晶界进行了研究；对晶体进行了高分 辨 x衍射实验，结果表明晶体中存在镶嵌块结构 ；开裂及散射颗粒也为晶体中较常见缺陷。分析了缺陷的成因并提出了预防措施。 关键词：Yb：GdVO 晶体 ；结构；缺陷；稀土 中图分类号 ：077 文献标识码：A 文章编号：1000—4343(2007)04—4094—06 钒酸盐系列晶体中，GdVO 晶体 由于具有 良 为2％的Yb：GdVO 晶体。生长气氛为N +O (2％ 好的物理、化学和光学等性能[10]，特别是其拥有 体积比)，提拉速度 1～2mm ·h～，旋转速度 12 与YAG相当的热导率 (11．7W ·m ·K )[2]，是 r·min～，生长方 向为 a向。 很好的激光基质材料；与Nd 离子相比，Yb 离 1．2 样品Jj~-r 子因具有能级结构简单、不存在激发态吸收和上 x射线定向仪对晶体精确定向后，沿垂直于晶 转换效应、并可进行高浓度掺杂等特点，使得掺 体生长方向分别于晶体的中部和尾部切取厚度为 Yb 材料成 为近年来激光 领域的研究热点之 1mm的a面，即(100)面样品；b面样品则取 自平 [4 ] 一 。 另外，一些实验也表 明[1 ]，掺杂 的 行于生长方 向的自然解理面(010)面；同样经定向 Yb：GdVO晶体在高功率激光、超快激光及可调谐 后，沿垂直于 a面和b面，切取了 C面，即(001) 激光等方面将成为一种很有希望的工作物质。 面样品，厚度亦为 1mm。除自然解理面外，其他晶 缺陷对晶体的性能产生严重影响，因此，开展 面样品均需机械研磨，抛光至表面无划痕。 对该晶体的缺陷研究对晶体质量的提高和实际应 1．3 腐蚀实验 用具有重要的指导意义。本文生长了2％的Yb： 不同的腐蚀剂对同一晶面有着不同的腐蚀能 GdVO 晶体，分析了晶体的结构，采用化学腐蚀法 力。先后选用了盐酸、硝酸、磷酸及氢氟酸，经多 和高分辨 x射线衍射等实验对晶体中的位错、晶 次实验后发现硝酸、磷酸及氢氟酸对晶片要么没 界及镶嵌块结构等缺陷进行了研究。 有腐蚀，要么腐蚀效果不佳，最终我们选择盐酸以 1 实 验 及其与氢氟酸的组合作为腐蚀剂。另外，缺陷的腐 1．1 晶体生长 蚀效果还与腐蚀时间和腐蚀温度有关。 液相反应法合成晶体生长用多晶料 GdVO和 对于