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HANMI分选机测试评估报告 （一）崩边、尺寸原理 1.尺寸测量 2.崩边测量 判断依据:根据硅片表面的对比度不同来判定。 （二）污片检测原理 污片测量方式 （三）厚度、TTV、线痕、翘曲测量 1.厚度测量 2.TTV 3.线痕 4.翘曲 5.弯曲 （四）隐裂原理 隐裂测量 判断依据:根据硅片表面不同的对比度来判定 1、裂纹：硅片对比度的颜色接近白色光。（接近白光的5%） 2、穿孔：硅片对比度的颜色接近白色光。（接近白光的10%） 3、杂质：硅片对比度的颜色接近黑色。（接近黑色的15%） 4、隐裂；硅片对比度的颜色接近黑色。 （接近黑色的10%） 二.HANMI分选机现存问题 1.崩边中边缘片无法检测的原因？ 目前照相机只拍摄硅片上下两表面的图像，无法检测硅片的边缘；如需检测，可在边上增加1个反射镜测量粘胶面即可（此技术HANMI正设法研究中）。 2.密集性线痕无法检测。 两束镭激光以30um光束扫描的硅片表面成像，以3mm为区间，后面一次比前一次增加0.5mm连续扫描硅片，因此密集型线痕无法判定。根据公司标准，当h15um时，判定该硅片为线痕片。 二.HANMI分选机现存问题 3.花片的无法检测的原因？ 按TOPD键，参数设置路径MONO MURA section选项中MU-SBIMAGE ADD-VALUE设置值为30，将数值减小为25即可测量花片。由于正常片与花片表面的对比度部分重合，修改设置后，部分A级片会误判成花片。 硅片表面的划痕对比度接近黑色，清洗后硅片直接插入片盒可减少硅片的污片误判率。 4.关于分选机与MS203测量厚度对比异常的问题？ 分选机测试厚度的原理为激光扫描，光斑大小为30um；MS203测试厚度的与原理为电容法，探头大小约为10mm左右。以至于，分选机与MS203测试位置存在较大差异，两者无对比性。 5.不能区分B1和B2级片？ 目前分选机判断方法只能按照“个数标准”进行分级，不能按照“崩边大小”进行分级；现设置的参数为公司标准，设置为1000um*500um。如需改进，韩国工程师回国修正程序。 6.硅片进入前，90度转向有时不能顺利完成而造成卡片。 7.MS203检测A级片中有220-240片子存在，标准TTV≤30um；具体为三条线和五点法不匹配，分选机检测区域小。 8.上料区，红外线对是否已经上料检测常出现误差。 三.HANMI 分选机MSA报告 四.HANMI来访的讨论问题 1.线痕：MSA不合格 （1）A片中全为A片，但线痕盒中有部分A片。 措施：继续测试跟踪结果。 （2）密集型线痕：完全不能检测。 措施：回韩国处理。 2.崩边： （1）软件问题：只能以个数分级，不能以大小分级。 措施：回韩国处理。 （2）硬件问题：硅片边缘侧棱处崩边无法检测。 措施：回韩国处理 3.厚度： （1）TTV:A中有TTV不良。 措施：继续测试跟踪结果。 （2）HANMI厚度取均值： 要求：按移动平均取值。 4.污片：MSA不合格 5.隐裂：MSA不合格 6.红外线检测不到片盒。 要求：后序改进。 7.硅片进入前，90度转向不能100%顺利完成。 要求：后序改进。 * * 一.HANMI分选机测试原理 上下表面各两束光投射到硅片表面，测量硅片的边长，对角线，垂直度等参数。 尺寸精度：±100um 垂直度精度：±0.05° 符合公司标准(边长：156±0.5cm；对角线：219.2±0.8cm；垂直度：90°±0.2°） 左图为崩边片，其中崩边对比度颜色较暗。对比度设置值为13。 左图为崩边片，其中崩边对比度颜色较亮。对比度设置值为100. HANMI崩边测量范围:≥100um*100um;符合公司标准（1000um*500um） 通过LED光对硅片表面的成像处理，多晶硅片表面呈现不同的明暗程度。根据对比度不同，判断硅片的污点。 污片精度：≥200um*200um；现对比度设置为30. 图为厚度测量的两种模式,图1为三条线每条7800点的连续测量模式，光斑距离硅片边缘为1cm；图2为硅片的9点测量模式，光斑距离上边缘为1cm，距离右边缘为1.5cm。 厚度精度：±1.5um；符合公司标准（厚度：200±20um） TTV为厚度测量最大值与最小值之差 厚度精度：±1.5um；符合公司标准（TTV：≤30um） 图为上下两束镭激光以3