低温退火磷吸杂工艺对低少子寿命铸造多晶硅电性能的影响.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 11 (2013) 110101 低温退火磷吸杂工艺对低少子寿命铸造多 晶硅电性能的影响 12† 2 2 1 姜丽丽 路忠林 张凤鸣 鲁雄 1) ( 西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室, 材料科学与工程学院, 成都 610031 ) 2) ( 天威新能源控股有限公司, 成都 610200 ) ( 2012 年9 月8 日收到; 2012 年12 月10 日收到修改稿) 本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验, 通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的 新型低温退火吸杂工艺, 去除低少子寿命多晶硅片中影响其电性能的Fe 杂质及部分晶体缺陷, 提高低少子寿命多 晶硅所生产的太阳电池各项电性能. 通过低温退火磷扩散吸杂工艺与其他磷扩散吸杂工艺的比较, 证明了低温退火 吸杂工艺具有更好的磷吸杂和修复晶体缺陷的作用. IV-measurement 发现经过低温退火工艺处理后的低少子寿命多 晶硅, 制备的太阳电池光电转换效率比其他实验组高0.2%, 表明该工艺能有效地提高低少子寿命多晶硅太阳电池各 项电性能参数及电池质量. 本研究结果表明新型低温退火磷吸杂工艺可将低少子寿命硅片应用于大规模太阳电池 生产中, 提高铸造多晶硅材料在太阳能领域的利用率, 节约铸造多晶硅的生产成本. 关键词: 低温退火, 磷吸杂, 低少子寿命多晶硅, 太阳电池 PACS: 01.55.+b, 07.20.−n DOI: 10.7498/aps.62.110101 转换效率, 研究人员尝试在硅晶体太阳能电池生产 1 引言 过程中使用磷吸杂的方法来减少硅晶体中的金属 杂质及晶体缺陷. 该方法也因其可与扩散工艺同时 铸造多晶硅(mc-Si) 是目前硅晶体太阳电池市 3−7 ´ 进行的便捷性而得到人们广泛研究 . Perichaud 场上常用的重要原料. mc-Si 在生产过程中常常存 8 ◦ 等 采取磷吸杂方式, 在900 C 的高温进行2— 在晶体缺陷(位错、晶界) 和杂质(金属杂质和过度 4 h 的扩散吸杂, 实现了mc-Si 中金属杂质的去除, 金属杂质) , 不仅影响mc-Si 的少子寿命, 还会影响 提高了多晶硅太阳电池的光电转换效率. Khedher 12 多晶硅太阳电池的光电转换效率及电池质量 . 9 等 在mc-Si 两面进行磷扩散, 通过高温下的外吸 在mc-Si 中, 金属杂质, 尤其是铁金属杂质(Fe ) 极 i 杂作用去除金属杂质, 提高了mc-Si 扩散后的光诱 易成为较强的电子复合中心. 在能带理论中, Fei 所