半导体设备——GaN-MOCVD设备项目可行性研究报告.pdfVIP

增资广东中科宏微半导体设备有限公司 可行性研究报告 深圳市洲明科技股份有限公司 二〇一一年十二月 0 目 录 一、 概述 二、 MOCVD 设备市场分析 三、 MOCVD 设备技术发展状况 四、 本项目技术方案、技术来源与技术指标 五、 项目建设规模、建设条件 六、 项目进度安排 七、 企业组织与劳动定员 八、 环境保护 九、 投资估算 十、 经济技术指标分析 十一、 风险分析 十二、 项目收益测算附件 1 一、概述 （一）广东省中科宏微半导体设备有限公司简介 广东省中科宏微半导体设备有限公司（以下简称“中科宏微”）是一 家依法设立并有效存续的有限责任公司，其注册地址在：广州高新 技术产业开发区科学城开源大道 11 号A4 栋首层；目前注册资本暨 实收资本为 1000 万元人民币；企业法人营业执照号： 440108000036321。经营范围为研究、开发、生产、销售半导体设备 及其零部件、提供相关技术咨询服务。股东为广东省工业技术研究 院 （二）本次增资情况 基于中科宏微现有经营状况和未来发展规划，中国科学院半导体研究 所 （以下简称“半导所”）、广东省工业技术研究院 （以下简称“工研 院”）、广东国晟投资有限公司（以下简称“国晟投资”）、东莞勤上光 电股份有限公司（以下简称“勤上光电”）、深圳市洲明科技股份有限 公司（以下简称“洲明科技”）拟进行增资，增加注册资本金额为 12071.31 万元人民币。各家增资金额及方式如下： 各股东认购的 各股东认购的公司 序号 股东姓名/名称 公司增加注册 注册资本出资方式 资本数额 1 中国科学院半导体研究所 3000 万元 技术成果 2 广东省工业技术研究院 1081.31 万元 实物资产 2 3 广东国晟投资有限公司 5000 万元 货币 4 东莞勤上光电股份有限公司 2000 万元 货币 5 深圳市洲明科技股份有限公司 990 万元 货币 其中，半导所以经依法评估的技术成果作价 3000 万元人民币投 入公司 （技术成果作价上限为 3000 万元，具体金额以财政部备案核 准数据为准，最终股比以核准数据折算）；工研院以经依法评估的实 物资产1081.31 万元出资；国晟投资、勤上光电、洲明科技首期出资 额为各自全部出资的 20%，分别为人民币 1000 万元、人民币400 万 元、人民币198 万元。剩余80%出资各股东应在增资变更登记日后二 年内向公司投入余下出资款。 （三）各股东情况简介 1、半导所 半导所成立于1960 年，位于北京市海淀区清华东路甲35 号。半导体 所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家 工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验 室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验