单晶碳化硅薄膜制备及二氧化硅基复合体系光致发光研究.pdf

摘 要 本论文的内容可分为两大部分：其一是宽带隙半导体材料SiC薄膜的生长 其二是以多孔Si02为基体的掺杂／复合材料的光致发光。 在SiC薄膜生长方面，为获得优质单晶薄膜必须解决许多方面的问题。本文 分别就SiC／Si界面空洞缺陷的消除和SiC薄膜生长的热化学过程进行了研究： ·界面空洞缺陷的消除：界面空洞缺陷是在Si衬底上外延生长优质SiC薄膜时 遇到的严重问题。消除该缺陷对改进SiC薄膜的光、电特性及器件应用方面 都有重要的意义。目前在抑制其形成方面尚无特别有效的方法。本文聚苯乙 烯(PS)／Si02叠层反应法在生长出单晶SiC薄膜的同时，成功抑制了界面空洞 缺陷的形成。并研究了温度、Si02层厚度和致密度等因素对SiC／Si界面结构 和形貌的影响。用空位聚集理论解释了空洞缺陷形成的机理。 ·SiC薄膜生长的热化学过程：对PLD生长的SiC薄膜在真空中进行退火处理， 用IR和XPS研究其组成和化学态随温度变化的规律。发现1000。C以上Si—C 键受到严重破坏而产生大量Si．Si键，并提出一个氧化模型阐明了其机理。 同时获得SiC薄膜的最佳晶化温度及生长激活能。 Si02基复合材料的光致发光在光电