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Sn掺杂Mg2Si热电材料能带结构计算
摘要
对于掺杂合适的元素Sn 使得Mg2Si 基热电材料的热电性能大幅度提高的实验事实, 欲从理论和计算上寻求支持, 试图从原子、分子的层次上对此现象作出解释, 因此建立了简化的Mg2Si 能带计算模型, 实验中用Sn原子分别替代Mg2Si的一个和两个Si原子采用密度泛函离散变分Xα量子化学计算法, 计算了物质内部的结构信息, 如能带 分态密度 态密度. 计算结果表明, 掺杂以后，晶格常数变大对电子的束缚能力减弱，且态密度图中的禁带宽度明显变窄, 导电能力增强，这与实验测试的结果是一致的.
关键字：热电材料，能带，Mg2Si，Sn掺杂
Sn dopi
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