III_V族化合物半导体整体多结级连太阳电池_光伏技术的新突破_续_.docVIP

III_V族化合物半导体整体多结级连太阳电池_光伏技术的新突破_续_.txt心态决定状态，心胸决定格局，眼界决定境界。当你的眼泪忍不住要流出来的时候，睁大眼睛，千万别眨眼，你会看到世界由清晰到模糊的全过程。 本文由飞过无痕zr贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 评 论 ＩＩＩ－ Ｖ族化合物半导体整体多结级连太阳电池 —光伏技术的新突破（续） —— 陈文浚 ＧａＩｎＰ２／ＧａＩｎＡｓ／Ｇｅ 三 结 电 池 的 效 率 水 平 从 未 超 过 晶 格 完 全 匹 配 ， 即 Ｉｎ 组 分 约 为 １％ 时 的 最 高 实 践 记 录 ［３６］。事 实 上 ， 当 Ｉｎ 组 分 为 １２％ ， 即 理 论 上 效 率 应 为 最 高 时 ， 迄 今 为 止 实 际 所 达 到 的 三 结 电 池 效 率 要 更 低 得 多 ［３２］。 上 述 晶 格 失 配 的 ＧａＩｎＰ２／ＧａＩｎＡｓ／Ｇｅ 三 结 电 池 的 性 能 难 以 提 高 ， 是 因 为 对 电 池 转 换 效 率 贡 献 最 大 的 ＧａＩｎＰ２／ＧａＩｎＡｓ 两 级 顶电池的晶体质量仍难免或多或少地受到失配缺陷的影响。 最 近 有 人 提 出 了 一 个 很 有 希 望 的 新 方 案 ， 即 以 ＧａＡｓ 为 衬 底 ， 先 反 次 序 生 长 晶 格 匹 配 的 ＧａＩｎＰ 顶 电 池 和 ＧａＡｓ 中 间 电 池 。 带 然 后 ， 在 ＧａＩｎＰ 组 分 过 渡 层 后 ， 生 长 Ｉｎ 组 分 为 ２５％ 、 隙 宽 度 为 １．０ ｅＶ 、 格 失 配 的 ＧａＩｎＡｓ， 代 替 Ｇｅ 作 为 第 三 级 底 电 晶 作者近照 池 ［３７￣３９］。 在 制 作 器 件 时 ， 将 电 池 外 延 层 从 ＧａＡｓ 衬 底 上 剥 离 下 ３ 基于 Ｇａ Ａｓ 的空间用多结级连太阳电池进 一步的研究课题 ３．１ 用晶格失配的材料系统实现与太阳光谱更好的 匹配 前 面 已 提 到 ， 与 Ｇｅ 晶 格 匹 配 的 ＧａＩｎＰ２／Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓ／Ｇｅ 三 结 电池材料系统无论对于空间还是地面阳光， 都不是最理想的 选择。图 ８ 给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及 １．０ 来 形 成 薄 膜 结 构 。 ｅＶ 的 底 电 池 可 比 Ｇｅ 更 有 效 地 利 用 太 阳 的红外光谱。而更重要的是， 在这种晶格失 配 的 ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ 三 结 电 池 中 ， 晶 格 失 配 缺 陷 将 只 影 响 到 ＧａＩｎＡｓ 底 电 池 ， 而 底 电 池 对 电 池 效 转 换 率 的 贡 献 相 对 两 级 顶 电池来说要小得多。 ＡＭ０／ＡＭ１．５Ｇ 阳 光 下 光 生 电 流 密 度 按 单 位 光 子 能 量 绘 制 的 光 由 谱 分 布 曲 线 ［３２］ 。 于 在 Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓ 的 吸 收 限 （ 约 ８８０ ｎｍ） 以 外 ， 太 阳 光 谱 中 仍 有 相 当 丰 富 的 红 外 光 可 以 被 Ｇｅ 底 电 池 所 利 用 ， 使 其 短 路 电 流 密 度 远 远 高 于 电 流 匹 配 的 ＧａＩｎＰ２／ＧａＩｎＡｓ 两 级 顶电池。 了更有效地把太阳光能转变为电能， 可以通过改变 为 Ｉｎ／Ｇａ 组 分 比 ， 调 低 ＧａＩｎＰ２／ＧａＩｎＡｓ 两 级 顶 电 池 的 带 隙 宽 度 。 当 ＧａＩｎＡｓ 中 间 电 池 带 隙 宽 度 为 １．２３ ｅＶ 左 右 ， 而 ＧａＩｎＰ 顶 电 池 与 其 晶 格 匹 配 且 ＩＩＩ 族 亚 晶 格 完 全 无 序 时 ， ＧａＩｎＰ２／Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓ／Ｇｅ 三 结 电 池 的 ＡＭ０ 理 论 效 率 最 高 ［３２，３６］ 。 但 此 时 ， ＧａＩｎＰ２／ＧａＩｎＡｓ 图８ 具有宽带隙顶电池的 Ｇａ ＩｎＰ ／１％－ Ｉｎ Ｇａ ＩｎＡｓ ／Ｇｅ 三结电 度按单位光子能量绘制的光谱分布 ［３２］ 池的外量子效率光谱响应及 ＡＭ０／ＡＭ１．５Ｇ 阳光下光生电流密 两 级 顶 电 池 已 与 Ｇｅ 衬 底 严 重 晶 格 失 配 ， 失 配 率 接 近 １％ ［３２］。 于 是 ， ＧａＩｎＰ２／Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓ／Ｇｅ 三 结 电 池 的 研 究 者 们 ， 在 沿 着 材 料 选择晶格匹配优先的途径走了很远以后又发现， 或许应该再 回过头来考虑另一条途径的优点， 即通过努力实现晶格失配 材料