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高效率整流对称半桥换器摘要:一种新型的高效使用的自驱动同步整流对称半桥换器介绍。该变换器使用的非对称半桥换器和自驱动同步整流器提高了系统的效率。同步整流用于变换器的新拓扑同步整流,这是一个稍微改进型的使用同步整流器常规非对称半桥转换器。该类型的新拓扑同步整流变压器结构略有变化,同步开关连接在对称半桥变换器与传统的自驱动同步整流。该变换器工作原理的详细解释由于该转换器利用变压器漏电感的谐振电感,其结构简化。设计实例详细讨论90(12/ 7.5)的原型。实验结果表明,所设计的样机在通用交流输入电压(180一265伏),该变换器的效率可以大大提高。交换式电源供应器(开关电源)已被广泛应用在工业提供稳定的直流输出电压。传统的开关电源与硬开关技术功率开关有很大的开关损耗,其总效率低。在过去的十年中,零电压开关或零电流开关技术的基础上提出了实现高效率的电路配置。软开关技术基础上的辅助开关已建议增加系统效率。移相脉宽调制(脉宽调制)技术提出了实现软开关有源开关操作。半桥变换器零电压开关操作已提出降低电路的成本,全桥变换器中高功率应用。特别由于相对简单的结构,非对称半桥转换器及其内在的能力,在电源开关电压应力略大于输入通常,半桥转换器必然伴随由二极管整流变压器二次。这样一个整流二极管主要采用肖特基二极管。然而,在二极管电压下降约0.8,相对比较大的漏源电压下降一的金属氧化物半导体场效应晶体管(场效应管),0.05伏。因为总有半桥式转换器与一个二极管整流器的次级整流效率低,同步二次整流需要实现良好效益。由于半桥换器包括一个变压器,它很容易使用一个同步整流器或自驱同步整流器。后者需要特定电路产生脉冲门和收取的MOSFET的栅极电容。应该指出的是,这种电容一般是相当大,因为一个非常低的导通电阻)的场效应管是必要的,这是一个从10欧姆。因此,需要很大的能量驱动晶体管。另一方面,电压驱动一般是调节和输入电压范围大。此外,该变压器的设计是关键。然而,在的自驱动同步整流,能源驱动的MOSFET是从变压器。这是一个非常简单的和可靠的系统,然而,有一些缺点。电压与该MOSFET驱动电弧是可变的,取决于输入电压。变压器的设计是关键,因为非常低的漏感是驱动晶体管。概念,同步整流需要使用一个场效应管整流器代替二极管,优势场效应晶体管的导通电阻很低,其导通压降小于肖特基二极管,其损耗小、效率高的弧。为了进一步提高效率,不仅要进行二次整流电流MOSFET,在整个传导期MOSFET驱动电弧在本文中,一种新型的高效不对称半桥转换器使用的是自驱动同步整流该变换器提高了系统的效率使用特性的非对称半桥转换器和半驱动同步整流器。新的拓扑非对称半桥转换器同步整流器采用低导通电阻的开关和开关的导通时间延长至整个切换期间使用的特点。该同步整流器是一个稍微改进型的常规模式。此外,该转换器损失与零电压切换,从而提高整个系统的效率。,提出了一个设计实例,详细讨论。电机(12 V /7)原型的通用输入电压(180一265伏)实验结果的基础上,表明了该变流器的性能。个MOSFET自驱动同步整流驱动器直接产生电压的变压器。例子的拓扑结构能够使用传统的自驱动同步整流反激转换器,半桥转换器具有互补控制,变换器的主动和传统半桥变换器半桥转换器或一转换器是非常受欢迎的拓扑结构。变压器的体积很小。这些转换器动态是非常好,因为他们降压转换器控制方法是众所周知的。有许多商业脉宽调制电路驱动这些拓扑结构,它们通常,价格低廉。此外,这些拓扑结构可以达到非常高的效率,当常规输出电压不是很低。然而,如果一般整流二极管用作整流器变压器次级,它一般不能用来获得输出电压低,系统效率高,由于二极管压降大。本文提出了一种新的同步整流器的结构,避免了这些缺点,使这些拓扑结构可用于低输出电压和较高的系统效率为此,传统半桥转换器具有互补控制操作的不对称半桥起动操作与不对称脉宽调制。变压器的结构和同步开关连接弧修改一个新的类型(注意内部的虚线矩形)。比传统半桥转换器或不对称半桥变换器与传统的二极管整流器的整流这些提高效率。这是因为晶体管电压下降的同步整流器低于二极管电压下降,不对称的非对称半桥转换器传导时间延伸穿过整个切换时间。这一系统的优点是减少传导损。切换损保持大致相同。改善理论可以很容易计算,假设电感电流无纹波。当使用肖特基二极管在传统半桥转换器,传导损在每个二极管正向压降和输出电流。此外,如果场效应晶体管传导时间延长至整个切换时间,损MOS场效应管的导通电阻,场效应管和占空比的功率开关。其的优势,变压器系统设计简单。在传统的同步整流器,必须考虑变压器次级绕组的数量与输入、输出电压和栅极驱动电压。然而,同步整流变压器的设计结构,可以被认为是更容易。此外,如果这一结构应用到转换器,低输出电压转换器实现简单。3关于非对称半桥换器图1所示
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