单壁BN和AlN纳米管电子谱及其光学性质的第一性原理研究.pdfVIP

中文摘要 摘 要 纳米管是上世纪九十年代发现的准一维纳米材料，由于其独特的结构和众 多新颖、优异的物理化学性能，成为近年来材料界以及凝聚态物理研究的前沿 与热点。与碳纳米管有所不同，BN和AIN等III-V族纳米管为半导体材料，因此 其能带结构不是很复杂，为一维纳米结构的研究与应用提供了一个诱人的前景。 由于它们的独特之处，近几年来引起了人们的广泛关注。 本文采用基于密度泛函理论的CASTEP软件包对单壁BN和AIN纳米管进行 了研究，主要内容分为两部分: 第一部分内容涉及单壁RN和AIN纳米管的几何结构以及电子结构。利用密 度泛函理论计算了一系列管径不同的单壁BN和AIN锯齿管(n,0)以及扶手椅管 (n,n)的几何结构和电子结构。计算结果表明:对于单壁锯齿型BN纳米管平行于 管轴方向的键长r,随n的增大从1.4144A逐渐增大到1.4339A，而不与管轴平行的 键r2随n的增大逐渐从1.5069A减小到1.4395A，两键长之差也随n的增加逐渐减 小，这表明当n取很大值时，两键长将趋于一致。对于单壁扶手椅型BN纳米管键 长变化不大，均在1.44A左右。单壁锯齿型AIN纳米管的键长在1