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氮化镓器件在微型光伏
逆变器中的应用
北京交通大学电力电子研究所
项目组:游小杰 李艳 张雅静
1 •背景介绍
2 •GaN HEMT器件结构及其工作原理
3 •增强型GaN HEMT器件特性
4 •GaN HEMT在光伏系统DC/DC 电路的应用
5 •Cascode GaN HEMT在光伏系统逆变电路的应用
6 •结束语
1 •背景介绍
2 •GaN HEMT器件结构及其工作原理
3 •增强型GaN HEMT器件特性
4 •GaN HEMT在光伏系统DC/DC 电路的应用
5 •Cascode GaN HEMT在光伏系统逆变电路的应用
6 •结束语
背景介绍
材料 Si SiC GaN
禁带宽度E (eV) 1.1 3.2 3.4
g
电子迁移率μ (cm/Vs ) 1500 900 2000
临界击穿电场Ec(MV/cm) 0.3 2.0 3.3
7
电子饱和速度Vs(10 cm/s) 1.0 2.0 2.5
结温
最大电场强度 最大开关频率
GaN器件性能优越
4
最大电流 导通导纳
背景介绍
轨道交通
风力发电
智能电网
氮化镓器件适 光伏发电
用于低压场合 工业电源
小功率电源
家用电器
微型光伏逆变器
5
背景介绍
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