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* 第一节 半导体的特性 第1章 上页 下页 返回 第2章 晶体二极管及应用电路 主要内容： 学习思路： 半导体材料导电机理 PN结及其单向导电性 难点： PN结及其单向导电性 应用 二极管 稳压二极管 半导体二极管的工作原理及应用电路 重点： 电子器件认知规律和二极管应用电路分析方法 整流、滤波、稳压 第10章 2．1 PN结及其单向导电特性 半导体 杂质半导体及其导电性 下页 总目录 PN结及其单向导电性 主要内容： 本征半导体及其导电性 学习目标: 半导体材料的导电机理、 PN结及其单向导电的原理和条件。 一. 半导体 (semiconductor)及其特性 2.1 PN结及其单向导电特性 价电子 +4 下页 首页 上页 +4正离子核 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge），硒和许多金属氧化物、硫化物都是半导体。 4价原子的简化表示法 锗和硅的原子结构 特性：热敏、光敏、掺杂。 四价元素 一. 半导体(semiconductor) 共价键covalent bond 主要材料：硅（Si）、锗（Ge） 。 价电子 半导体具有晶体结构，在硅(或锗)的晶体中,原子在空间有序排列组成规则的晶格—— 单晶硅、单晶锗。 晶体中的价电子与共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 下页 首页 上页 特性：热敏、光敏、掺杂。 共价键结构： 共价键：在晶体结构的半导体中，相邻两个原子的一对最外层电子成为共用电子，形成共价键结构。 二、本征半导体（intrinsic semiconductors） +4 +4 +4 +4 共价键 定义：纯净的、不含杂质的半导体。 价电子 在常温下由于分子的热运动，少量价电子挣脱原子核的束缚成为自由电子，同时在原位留下的空位称“空穴”。 结论：在本征半导体中电子空穴成对产生（本征激发），当温度和光照增加时，其数目增加。 带负电自由电子 free electron 空穴 hole 本征硅示意图 在热力学温度零度（即T = 0 K ）时，价电子不足以挣脱共价键的束缚，晶体中不存在能够导电的载流子，半导体不能导电，如同绝缘体一样。 导电情况分析： 下页 首页 上页 激发 +4 +4 +4 +4 在外电场作用下，自由电子定向运动，价电子填补空穴运动。 自由电子定向运动 价电子填补空穴 在半导体中，同时存在着自由电子导电和空穴导电。 自由电子和空穴都被称为载流子。 本征硅示意图 二、本征半导体（intrinsic semiconductors） 下页 首页 上页 半导体导电方式的最大特点： 结论：温度一定，载流子产生率=复合率，达到动态平衡。导电能力与温度有关（9页）。 复合 电子型（N型）半导体(N-type semiconductor) 空穴型（P型）半导体(P-type semiconductor) 杂质半导体 分两大类 +4 Si +4 +4 本征硅示意图 Si P 空穴 自由电子 自由电子数增加 三、 杂质半导体 定义：指在本征半导体中掺入某种特定的杂质后的半导体。 N型半导体：在本征 硅或锗中掺入五价元素，如磷、砷、锑，则自由电子数目大大增加，形成多数载流子。空穴为少数载流子。 多数载流子 majority carrier 少数载流子 minority carrier 下页 首页 上页 施主原子 在外电场作用下，自由电子导电占主导地位，故称电子型半导体。简称N型半导体(N-type semiconductor) （Extrinsic Semiconductors） +4 Si +4 +4 本征硅示意图 P型半导体：在本征 硅或锗中掺入三价元素，如硼、铝、铟，则空穴数目大大增加，形成多数载流子。自由电子为少数载流子。 空穴 自由电子 Si B 空穴数增加 三、 杂质半导体 下页 首页 上页 受主原子 少数载流子 minority carrier 多数载流子 majority carrier 在外电场作用下，空穴导电占主导地位，故称空穴型半导体。简称P型半导体 （Exntrinsic Semiconductors） - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - P N 1. PN结中载流子的运动 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 Uφ 又称耗尽层，即PN结。 最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡，PN结中总电流为零。 内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。 硅约为