2半导体与二极管.ppt

2.2.4 PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 2.2.4 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 ??????????????????? 由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响，PN结高频等产电路如图所示，图中r表示电阻，C表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于的向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较小（主要决定于势垒电容CB）。 PN结的等效电路 2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管是由一根很细的金属触丝和一块半导体的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，金属与半导体结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。由于点接触型二极管金属丝很细，形成的PN结面积很小，所以极间电容很小，也不能承受高的反向电压和大的电流。 面接触型或称面结型二极管的结构，由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大。 ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 2.3.2 二极管的V—I特性 * 2.1 半导体的基本知识 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.2 PN结的形成及特性 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 半导体的特点 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3. 在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 2.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 2.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 本征激发------本征半导体中的价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。所以可用空穴的运动来代替电子的运动，因此在分析时可将空穴看成一个带正电的粒子。 用来运载电荷的粒子称为载流子。 半导体中空穴与电子相遇而不带电的现象称为复合。 在本征半导体中，空穴和自由电子总是成对出现的，即电子和空穴的数量相等。 2.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 1. P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空位。当其它共价键上的电子在本征 激发下来填补这个空位时，从而在原来的硅原子共价键上形成空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空位很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因接受电子而称为受主杂质。 1. P型半导体 2. N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。从而在半导体中形成大量的自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因失去电子而带上正电荷成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2. N型半导体 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: