基于SIMOX技术耐高温微型油井压力传感器研究.pdfVIP

基于SIMOX 技术耐高温微型油井 压力传感器研究 王 权 丁建宁 (江苏大学微纳米科学技术研究中心 镇江 212013) 王文襄 ( 昆山双桥传感器测试技术有限公司 苏州 215325) 熊 斌 ( 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海 200050) 摘要：针对石油化工领域高温下压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图，采用SIMOX （separation by implanted oxygen ）技术SOI （silicon on insulator ）晶片，在微加工平台上制作了该芯片；对 不同的用户工况设计了专门的装配结构，采用耐高温封装工艺，研究了耐高温微型压力传感器封装材料匹配 与热应力消除技术，解决了内外引线的技术难点；从低成本、易操作性出发，设计了温度系数补偿电路，研 制出了高精度稳定性佳的耐高温微油井压力传感器。 关键词：高温压力传感器 SIMOX 耐高温封装 补偿电路 0 前言 在石油开采、化工领域的反应釜和冶炼塔等的压力测量中，对压力传感器提出了耐高温、微型 化、抗腐蚀等要求[1] ，传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4 个P 型硅应变电阻构成惠斯顿电 桥的力敏检测模式，采用PN 结隔离，当温度在 100℃以上时，PN 结漏电流很大[2] ，使器件无法工 [3] 作。因此设计制作高温压阻式压力传感器，必须取消PN 结隔离 。 本文采用了SIMOX 技术设计和制作了二氧化硅介质隔离的SOI 力敏元件，针对－40～220℃的 工作环境设计了装配结构，完成了耐高温封装工艺，选用了恒流源激励，设计了温度补偿电路，完 成了静态标定，获得了高性能稳定性佳的耐高温微型油井压力传感器。 1 基于SIMOX 技术的SOI 硅力敏元件设计与制作 [4] 针对高温高压的要求，选用圆平膜设计 ，在版图中，惠斯登电桥的两对桥臂力敏电阻分别布置 在(100)晶面内互相垂直的[110]和[11 0] 晶向上，位于圆膜边缘处，如图1 所示。在[110]晶向上的电 阻顺着晶向排列，在[11 0] 晶向上的电阻垂直于晶向排列，四个电阻互相平行。显然，R 、R 是径 1 2 向电阻；R3 、R4 是切向电阻，硅膜片受力后，力敏电阻值变化率为： ∆R ∆R ∆R 1 ∆R ∆R ∆R 1 1 3 r π (σ −σ ) （1） 2 4 t − π (σ −σ ) （2 ） 44 r t 44 r t R R R 2 R R R 2 1 3 r 2 4 t *国家高技术研究发展计划(863 计划)MEMS 重大专项资助 （2002AA404470 ）和国家“九五”传感器技术攻关项目“油井高温压力传感器” (96-748-02-01/07)产业化项目 Si基 金压焊台 电阻R3 圆平膜 [110]