半导体二极管及其基本电路(1).pptVIP

模拟电子技术基础 北华航天工业学院电子系 2008.3 第二章 半导体二极管及其 基本电路 2.1 半导体的基本知识 2.2 PN结的形成及特性 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 本次课小结 本次课结束 * * 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 典型的半导体有硅(Si)和锗(Ge)以及砷化镓(GaAs)。 一、导体、绝缘体和半导体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 二、半导体的导电特点: （1）当受到外界温度、光照等环境因素的影响时，其导电能力有明显变化。 （2）向纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 光敏、热敏特性 掺杂特性 为什么半导体导电会具有这些特点？ 根本原因是由于半导体具有特殊的内部结构 ——共价键的晶体结构。 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 常见的半导体材料硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，在绝对零度（0K）和无外界激发的条件下，束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此很难导电；常温下纯净半导体中的自由电子也很少，所以此时半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 一、本征激发 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 本征激发：由于热激发或光照而产生自由电子和空穴对，这个过程称为本征激发。 自由电子和空穴统称为载流子。电子带负电，空穴带正电。 二、本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 2.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 思考：杂质半导体可能有几种类型？ 一、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 思考： N 型半导体中的两种载流子数量是否相等？ 1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2. 由于本征激发产生的电子和空穴对。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的