纯铝铝合金基底上SiOx陶瓷膜层CVD制备及其性能研究.pdfVIP

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条件下的电阻没有提高;采用硅酸钠生成原硅酸封孔后的膜层,电阻有所提高, 并且当环境偏碱性时,封孔效果较好。此外,我们还对以后进一步的实验提出 了设想。 本研 过机械拉伸实验、划痕实验以及弯曲实验对膜层与基底的结合性 ,膜层未从基底上脱开,膜基结合强度大于 能进行了测试和评价。伽伸实验中 粘接剂环氧树脂的最大剪切强度 (8MPa)。弯曲实验的结果表明,膜基间有良 好的结合性能和相互配合变形的能力。热冲击实验中,膜层没有与基底脱开, 再次印证了上述结论,而且表明铝基氧化硅陶瓷膜层具有良好的抗热冲击性能, 膜/基之间有好的热变形匹配能力。少一、- 关键字: 化学气相沉积 金属表面陶瓷化 、氧化硅 膜层)性能测试 / 挤 二 . 1 了 Abstract Anewkindofsiliconoxidicfilmwaspreparedonaluminumandaluminumalloy withSiH4/02/N2systembyambientpressurechemicalvapordeposition(APCVD), whichwasprocessedinanopenbell-likereactor.Thesurfacereactionwasassumed asbelow: Si万:+OZ Sior十H2OT whileN2wasdispensedtodilutethegases.Theprocesswasoperatedin3800C-420 ℃,withtheflowrateratioof02toSi比about1:20-30.Thesubstratesweremadeof differentmaterialslikepureAl,Al-Mgalloy,YZLetc,whichwerepretreatedby differentprocessbeforedeposition,likedegreasingbyorganicsolvent,chemical process,polishandthecombination. Afterthedeposition,thechemicalcomposition,microstructure,andthemorphology ofthefilmwasstudiedbyXPS,TEM,XRDandSEM.TheXPSresultshowedthat thefilmwascomposedofsiliconandoxide,whiletheratioofthetwoelementwas 1:1.61.80,belowthenormalstoichiometry.TheTEM diffractionimagewas composedofhomocentricextensivecircles,whichindicatedamorphousstructure Withhighresolutionobservation,itwasshowedthatthestructureofthefilmwas mostlyamorphous,withpartlyorderedregionsdistributedonit.InaidofXRDresult itwasconcludedthatthemicrostructureofthefilmwasamorphous/crystallitic low-temperaturesiliconoxide.Thereweretwocharacteristicmorphologyofthefilm inSEMobservation,theaccumulationofglobular/cystiformstructureandthe comparablyplainsurface,thelatterofwhichwasleftbehindafter

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