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条件下的电阻没有提高;采用硅酸钠生成原硅酸封孔后的膜层,电阻有所提高,
并且当环境偏碱性时,封孔效果较好。此外,我们还对以后进一步的实验提出
了设想。
本研 过机械拉伸实验、划痕实验以及弯曲实验对膜层与基底的结合性
,膜层未从基底上脱开,膜基结合强度大于
能进行了测试和评价。伽伸实验中
粘接剂环氧树脂的最大剪切强度 (8MPa)。弯曲实验的结果表明,膜基间有良
好的结合性能和相互配合变形的能力。热冲击实验中,膜层没有与基底脱开,
再次印证了上述结论,而且表明铝基氧化硅陶瓷膜层具有良好的抗热冲击性能,
膜/基之间有好的热变形匹配能力。少一、-
关键字:
化学气相沉积 金属表面陶瓷化 、氧化硅 膜层)性能测试
/
挤
二
.
1
了
Abstract
Anewkindofsiliconoxidicfilmwaspreparedonaluminumandaluminumalloy
withSiH4/02/N2systembyambientpressurechemicalvapordeposition(APCVD),
whichwasprocessedinanopenbell-likereactor.Thesurfacereactionwasassumed
asbelow:
Si万:+OZ Sior十H2OT
whileN2wasdispensedtodilutethegases.Theprocesswasoperatedin3800C-420
℃,withtheflowrateratioof02toSi比about1:20-30.Thesubstratesweremadeof
differentmaterialslikepureAl,Al-Mgalloy,YZLetc,whichwerepretreatedby
differentprocessbeforedeposition,likedegreasingbyorganicsolvent,chemical
process,polishandthecombination.
Afterthedeposition,thechemicalcomposition,microstructure,andthemorphology
ofthefilmwasstudiedbyXPS,TEM,XRDandSEM.TheXPSresultshowedthat
thefilmwascomposedofsiliconandoxide,whiletheratioofthetwoelementwas
1:1.61.80,belowthenormalstoichiometry.TheTEM diffractionimagewas
composedofhomocentricextensivecircles,whichindicatedamorphousstructure
Withhighresolutionobservation,itwasshowedthatthestructureofthefilmwas
mostlyamorphous,withpartlyorderedregionsdistributedonit.InaidofXRDresult
itwasconcludedthatthemicrostructureofthefilmwasamorphous/crystallitic
low-temperaturesiliconoxide.Thereweretwocharacteristicmorphologyofthefilm
inSEMobservation,theaccumulationofglobular/cystiformstructureandthe
comparablyplainsurface,thelatterofwhichwasleftbehindafter
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