7.2气相沉积技术.pptVIP

7.2化学气相沉积（CVD） CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料—超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等Ⅲ～Ⅴ旋半导体和Ⅱ～Ⅵ旋半导体单晶外延的基本生产方法。 在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。 7.2化学气相沉积（CVD） 在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮化镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。 在集成电路及半导体器件应用的CVD技术方面，美国和日本，特别是美国占有较大的优势。 日本在蓝色发光器件中关键的氮化镓外延生长方面取得突出进展，以实现了批量生产。 7.2化学气相沉积（CVD） 1968年K .Masashi等首次在固体表面用低汞灯在P型单晶硅膜，开始了光沉积的研究。 1972年Nelson和Richardson用CO2激光聚焦束沉积出碳膜，从此发展了激光化学气相沉积的工作。 7.2化学气相沉积（CVD） 继Nelson后，美国S. D. Allen，Hagerl等许多学者采用几十瓦功率的激光器沉积SiC、Si3N4等非金属膜和Fe、Ni、W、Mo等金属膜和金属氧化物膜。 前苏联Deryagin Spitsyn和Fedoseev等在20世纪70年代引入原子氢开创了激活低压CVD金刚石薄膜生长技术，80年代在全世界形成了研究热潮，也是CVD领域一项重大突破。CVD技术由于采用等离子体、激光、电子束等辅助方法降低了反应温度，使其应用的范围更加广阔。 7.2化学气相沉积（CVD） 中国CVD技术生长高温超导体薄膜和CVD基础理论方面取得了一些开创性成果。 Blocher在1997年称赞中国的低压CVD(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)模拟模型的信中说：“这样的理论模型研究不仅仅在科学意义上增进了这项工艺技术的基础性了解，而且引导在微电子硅片工艺应用中生产效率的显著提高。” 7.2化学气相沉积（CVD） 1990年以来中国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面，根据非平衡热力学原理,开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化的证实反自发方向的反应可以通过热力学反应耦合依靠另一个自发反应提供的能量推动来完成。 7.2化学气相沉积（CVD） 低压下从石墨转变成金刚石是一个典型的反自发方向进行的反应，它依靠自发的氢原子耦合反应的推动来实现。 在生命体中确实存在着大量反自发方向进行的反应，据此可以把激活（即由外界输入能量）条件下金刚石的低压气相生长和生命体中某些现象做类比讨论。 因此这是一项具有深远学术意义和应用前景的研究进展。 基本条件 沉积温度下必须有足够高的蒸汽压； 反应生成物除所需沉积物为固态外，其余为 气态； 沉积物本身饱和蒸汽压足够低。 SiHCl3+H2=Si+3HCl 二、CVD的应用 5.光纤通信 光纤通信由于其容量大、抗电磁干扰、体积小、 对地形适应性高、保密性高以及制造成本低等优 点，因此得到迅速发展。 通信用的光导纤维是用化学气相沉积技术制得的 石英玻璃棒经烧结拉制而成的。 利用高纯四氯化硅和氧气可以很方便地沉积出高 纯石英玻璃。 二、CVD的应用 6.超电导技术 CVD制备超导材料是美国无线电公司（RCA） 在20世纪60年代发明的，用化学气相沉积生产的 Nb3Sn低温超导材料涂层致密，厚度较易控制，力 学性能好，是目前烧制高场强、小型磁体的最优材 料，为提高Nb3Sn的超导性能，很多国家在掺杂、 基带材料、脱氢、热处理以及镀铜稳定等方面做了 大量的研究工作，使CVD法成为生产Nb3Sn的主 要方法之一。现已用化学气相沉积法生产出来的其 他金属间化合物超导材料还有NbGe、V3Ca2、 Nb3Ga。 第七章 气相沉积技术 二、CVD的应用 7.保护涂层 化学气相沉积在保护涂层领域中得到了广 泛的应用。CVD法可以沉积多种元素及其氮 化物、氧化物、硼化物、硅化物和磷化物， 在耐磨镀层中，用于金属切削刀具占主要地 位。在切削应用中，镀层的重要性能包括硬 度、化学稳定性、耐磨、减摩、高的热导以 及热稳定性。 第七章 气相沉积技术 二、CVD的应用 7.保护涂层 （1） 在切削工具方面的应用 用CVD涂覆刀具能有效地控制在车、铣和钻孔过 程中出现的磨损，在这里应用了硬质台金刀具和高 速钢刀具。特别是车床用的转位刀片、铣刀、刮刀 和整体钻头等。 使用的涂层为高耐磨性的碳化物、氯化物、碳氯 化台物、氧化物和硼化物等涂层。TiN与金属的亲和 力小，抗粘附能力和抗月