第三章半导体中载流子的统计分布51900.ppt

第三章半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.6简并半导体的载流子浓度 载流子的产生： 电子从价带跃迁到导带 本征激发 导带中 电子从施主能级跃迁到导带 杂质电离 电子n 电子从价带跃迁到导带 本征激发 价带中 电子从价带跃迁到受主能级 杂质电离 的空穴 在一定的温度下，产生和复合达到热平衡，半导体就有恒定的电子、空穴浓度n，p 温度改变时，建立新的热平衡，就有新的电子、空穴浓度n，p。 3.1状态密度 一、K空间中量子态的分布 二、状态密度 3.1状态密度 状态密度的定义：在能带中能量E附近，单位能量间隔内的量子态数。 设在能量E到E+dE内有dZ个量子态，则状态密度： 3.1状态密度 半导体中电子的允许能量状态（即能级）用波矢K标志。 但电子的波矢K不能连续取值，K的取值为 3.1状态密度 假设半导体为边长分别为Lx,Ly,Lz是半导体晶体的长方体， LxLyLz =V为长方体的体积， 以波矢K的三个互相正交的分量Kx, Ky, Kz为坐标轴的直角坐标系所描写的空间为K空间。 能量状态密度 g(E)单位能量间隔内的状态数 dZ=g(E)dE: E～E+dE能量间隔内的状态数 3.1状态密度 先看k空间的状态密度g(k). 在同一能带内，每一个k值就代表一个状态，则在k空间，每单位体积内含的k值的数目就是g(k) (1) 一维简并情况 N总原子数，a原子间距,L=Na为一维晶体的长度 3.1状态密度 相邻的两个k值的间隔: 这相当于每一个状态占有k空间的长度为2?/L。 或单位k空间长度内包含有个状态 即 3.1状态密度 (2)三维情况： k有三个方向的取值 Nx，Ny，Nz晶体在x，y，z方向原胞数。 ax，ay，az原胞在三个方向的原子间距。 在每个方向上，相邻的两个k值之间的间隔分别是 即每个K值（每个状态）占有K空间的体积为 单位K空间的体积内包含的状态数 V是晶体的实体积 3.1状态密度 g(k)在k空间是均匀分布的 为求出能量状态密度g(E)或在E～E+dE间隔内的状态数g(E)dE,我们只须求出在此能量间隔内包含的k空间的体积即可，为此必须知道E（k）关系，即能带结构。 普遍的能带结构E（k）是难以确定的，但在带底或带顶等能面可近似为球形等能面。 3.1状态密度 3.1状态密度 例题 当T＝300k时，确定Si中Ec和Ec+KT之间的能态总数 Si: mn*=1.08m0 ，mp*=0.56m0 2.当T＝300k时，确定Si中Ev和Ev+KT之间的能态总数 3. 求出Ec＋kT处导带有效密度与Ev+kT处价带有效密 度的比值 3.2费米能级和载流子的统计分布 一、电子的费米分布函数 f（E） 二、玻尔兹曼分布函数 三、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 四、载流子浓度的乘积 费米分布函数f(E) 根据量子力学，电子为费米子，服从费米分布 EF表示平衡状态的参数称为费米能级 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 （1） 当T= 0 时 E EF ， f（E）= 0 E EF ， f（E）= 1 EF 为电子占据和未占据状态的分界线 3.2 费米能级和载流子的统计分布 （2） 当T 0 时 E = EF ， f（E）= 1/2 E EF ， f（E） ? 若E-EF k0T f（E）= 0 E EF f（E） ? 若E-EF k0T f（E）= 1 如 E-EF5 k0T f（E）0.007% E-EF5 k0T f（E）0.993% EF 为电子占据状态的分界线 3.2 费米能级和载流子的统计分布 费米能级的意义： （1）它标志在T=0K时电 子占据和未占据的状态的分界线。 即比费米能级高的量子态，都没有被电子占据，比费 米能级低的量子态都