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1.6 太阳能光电转换原理 －光生伏特效应 半导体材料的光吸收 若入射光能量为I0，则在距离入射表面x处，光的能量为 半导体材料的光吸收 若吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度，就有可能使电子从价带跃迁到导带，从而产生电子－空穴对，这种吸收为本征吸收。 半导体材料的光吸收 半导体材料的光吸收 * * α为物体的吸收系数，表示光在物体中传播I/α时，能量因吸收而衰减到原来的1/e 半导体材料的吸收系数较大，一般在10-5cm-1以上。 半导体材料中光的吸收导致了非平衡载流子产生，总的载流子浓度增加，电导率增大，称为半导体材料的光电导现象。 本征吸收 直接跃迁－半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量不变。 直接带隙半导体：砷化镓 间接跃迁－半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量发生变化。 间接带隙半导体：硅，锗 通常，间接带隙半导体的吸收系数要比间接带隙半导体的吸收系数低2－3个数量级。 半导体吸收 本征吸收 激子吸收 载流子吸收 杂质吸收 晶格吸收 光子能量小于禁带宽度时，依然有可能存在吸收。
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