信息纳米技术及其应用CH7信息纳米材料的应用(2009).pptVIP

CH 7 信息纳米材料应用 CNT应用 单电子器件(SET) 纳米技术在电子信息领域的其他应用 量子磁盘与高密度磁存储 超微型纳米阵列激光器 微型传感器 增韧陶瓷 纳米结构高效电容器阵列 4. 纳米技术的其它应用 纳米隐身 纳米光催化 纳米生物医药 7.1 CNT应用 CNT场发射显示器 CNT电子器件 CNT氢能利用 CNT力学性能应用 CNT其他应用 7.1.1 CNT 场发射显示器 场发射参数: 开启电场(Eto)：场发射电流密度达到10uA/cm2时的电场强度。 阈值(Ethr)：场发射电流密度达到10mA/cm2时的电场强度。 场发射电流密度：材料的场发射电流与发射面积的比值。 场发射电流稳定性:场发射电流随时间的变化。 一、CNT场发射性能测试 CNT场发射性能测试时的电极结构： a.单根CNT b.多根CNT c.CNT薄膜 一、CNT场发射性能测试 阳极：阳极作用为参与形成电场并收集阴极发射的电子。测试材料的形状不同，测试目的不同，阳极结构和材料也不同。主要有：ITO阳极，金属板阳极和栅极阳极。右图为金属平板阳极，其特点是耐热性好、机械强度高，可用于大电流测试。 一、CNT场发射性能测试 栅极阳极： 在场发射材料的上方布置一铜质的筛网，筛网与场发射材料之间用厚度为20um的云母隔开，开孔直径为1mm。在筛网和场发射材料上加一定偏压，电子从阴极逸出并向阳极移动，其中一部分穿过筛孔，经加速电压作用打到收集电子的阳极上。 二、SWCNT场发射性能 测试装置： 右图为单壁CNT薄膜的场发射特性测试装置。单壁CNT呈无规则排列，堆积密度约108个/cm2. SWCNT薄膜场发射性能 SWCNT：直径1-2nm，长：几十-几百um，是高性能场发射材料。呈多束或无序薄膜。 起始发射阈值Eto：1.5-4.5V/um 临界发射阈值Ethr：3.7-7.8V/um，阈值性能指标优于金刚石薄膜和无定形C膜，但比多壁CNT略差。 发射稳定性：10h，由0.15mA/cm2-0.03mA/cm2，主要是单壁CNT在发射过程中结构损坏所致。 例：单壁CNT制作的4.5in2平板显示器，其起始发射阈值为2V/um，发射均匀性良好，但发射电流强度随发射时间延长而减小。 SWCNT场发射性能 在20-30nm的硅尖端催化生长单壁CNT，制作场发射器件，如右图所示。 场发射试验表明，SWCNT的发射阈值比硅低10-50倍，主要是因为CNT的直径（1-2nm)比硅尖小很多。 将这种发射极制成阵列，其发射电压为4V，可在手机等数码产品中应用。 SWCNT发射电流-时间关系 SWCNT场发射特性的稳定性： 在不同环境下（高真空、H2、 Ar、 O2和水蒸气）对SWCNT场发射稳定性测试，结果如右图所示。结果表明，SWCNT对环境的敏感程度远低于金属发射材料，如在水气中其发射强度在10h内没有衰减。但在O2气氛下的发射性能会下降。SWCNT的场发射稳定性与其很强的C-C键、几何形貌、结构完整性等因素有关。由于SWCNT的无序排列和纯度不高等，得到的场发射性能比MWCNT略差。 三、MWCNT 场发射性能 单根MWCNT： 当发射电流较小时，单根MWCNT的I-V特性和F-N特性大体成直线关系，表明此阶段的场发射基本符合F-N公式。当电流升高后，特性曲线的斜率一般会发生变化。当电流增加到一定程度，CNT的场发射I-V特性曲线进入饱和区，场发射电流随外加电场增加而增大的幅度减小，表现在I-V和F-N曲线的斜率比小电流区小。 MWCNT 场发射性能 薄膜MWCNT： 其场发射的I-V和F-N特性表现出与与单根MWCNT相同的发射特性。低电流是大体成线性，高电流区斜率会变化。 三、MWCNT 场发射性能 定向多壁CNT： Eto：0.6-1V/um Ethr：2-2.7V/um 场发射性能优，性能稳定；稳定性优于SWCNT。 MWCNT场发射性的稳定性 不同类型的CNT都表现出优异的场发射特性，而且在不同气氛下表现出很好的稳定性。通常，多壁CNT的稳定性要优于单壁CNT，主要是多壁CNT具有更好的结构和化学稳定性，尤其在低真空离子轰击严重的情况下。 离子轰击是场发射电流衰减的根本原因。高真空条件对CNT的稳定性很重要。 MWCNT 场发射 CNT 场发射显示器 有CRT的高亮度、高分辨率、高对比度等；又有LCD的低功耗等特点。 三星公司样品 CNT冷阴极管结构 在CNT阴极发射材料和阳极铝膜之间施加一定电压，发射出的电子使阳极上涂的荧光粉发光。不同的荧光粉材料，可得到不同颜色的阴极射线管。 7.1.2 CNT电