第一章集成电路电路的基本制造工艺.pptVIP

半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一 双极型IC的基本制造工艺： A. 在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL（非饱和型） 、TTL/DTL （饱和型） 、STTL （饱和型） B. 在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二 MOS IC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A 铝栅工艺 B 硅 栅工艺 其他分类 根据沟道: PMOS、NMOS、CMOS 根据负载元件: E/R、E/E、E/D 双极型集成电路和MOS集成电路优缺点 半导体制造工艺分类 Bi-CMOS工艺： 把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片，综合了双极器件的高跨导、强负载能力和CMOS器件的高集成度、低功耗的优点，取长补短。 A. 以CMOS工艺为基础 P阱 N阱 B. 以双极型工艺为基础 典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程 纵向晶体管刨面图 横向晶体管刨面图 NPN晶体管刨面图 双极晶体管 1.衬底选择 P型Si ρ 10Ω.cm 111晶向, 偏离2O~5O 第一次光刻—N+埋层扩散孔 1。减小集电极串联电阻 2。减小寄生PNP管的影响 外延层淀积 1。VPE（Vaporous phase epitaxy) 气相外延生长硅 SiCl4+H2→Si+HCl 2。氧化 TepiXjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox 第二次光刻—P+隔离扩散孔 在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离. 第三次光刻—P型基区扩散孔 决定NPN管的基区扩散位置范围 第四次光刻—N+发射区扩散孔 集电极和N型电阻的接触孔,以及外延层的反偏孔。 Al—N-Si 欧姆接触：ND≥1019cm-3，　　　　　　　　 第五次光刻—引线接触孔 　　 第六次光刻—金属化内连线：反刻铝 　　 中速TTL电路版图设计规则(μm) 最小套刻间距 5 最小隔离槽宽度 10 元件与隔离槽最小间距 18 埋层与隔离槽最小间距 18 基区和集电极孔最小间距 5 最小发射极孔 8×8 最小基极孔宽 8 最小集电极孔宽 8 最小电阻条宽 10 电阻条间最小间距 7 最小电阻引线孔 8×8 铝条最小宽度(包括两边覆盖2μm) 10 长铝条最小间距 10 短铝条最小间距 5 键合点最小面积 100×100 两键合点最小间距 70 隔离槽外边界与键合点之间的最小间距 150 划片间距 400 最小面积晶体管 集成电路版图设计通常是由集成电路中晶体管版图开始的，而该晶体管版图通常是最小面积晶体管的版图。因此，掌握什么是最小面积晶体管，其版图是如何确定的非常重要。 另外，掌握集成电路制造中常用的各种晶体管版图及其对应的工艺剖面结构也是十分重要的。最小面积晶体管--由图形最小尺寸（图形最小线宽和图形最小间距）构成的晶体管。