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- 约 50页
- 2017-09-06 发布于陕西
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天津职业技术师范大学
Tianjin University of Technology and Education
毕 业 论 文
专 业: 微电子学
班级学号: 0701-40
学生姓名: 曹晓燕
指导教师: 李彤 副教授
二○一一 年 六 月
天津职业技术师范大学本科生毕业设计
TiO2 基异质结的研究
Study of TiO2-based Heterojunction
专业班级:微电0701班
学生姓名:曹晓燕
指导教师:李彤 副教授
系 别:电子工程学院
2011年6月
摘 要
TiO2是一种直接宽带隙半导体材料。TiO2薄膜具有大的折射率和介电常数,在可见光和红外波段具有良好的透过率,及良好的耐磨性和热稳定性,因而被广泛的应用于光学薄膜,微电子器件和保护涂层。异质结是两种不同的半导体相接触所形成的界面区域,由于两种异质材料具有不同的物理化学参数, 接触界面处产生各种物理化学属性的失配,使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。要实现这些优良性能的广泛应用,首先要获得性能良好的TiO2异质结。本论文在总结了国内外Si基异质结的发展和TiO2薄膜的研究历史及研究现状的基础上,系统研究了TiO2基异质结的电学特性。以磁控溅射法制备高质量N型TiO2薄膜,测得光学带隙随氧氩比变化,不同氧氩比,不同压强和不同温度的情况下的N型TiO2/P型Si的最佳整流特性曲线。
关键词:异质结;TiO2薄膜;磁控溅射
Abstract
TiO2 is a kind of wide direct-gap semiconductor material. TiO2 thin films have large refractive index and dielectric constant, good transmission in the visible and infrared band and good wear resistance and thermal stability.Therefore TiO2 thin films have widely used in optical thin films, microelectronic devices and protective coating layers. Heterojunction is the contact interface between two kinds of different semiconductors. Due to the two heterogeneous materials have different physical and chemical parameters, the contact interface with various physical and chemical properties will appear, Then heterojunction can have new features compared with the homogeneous PN junction. To let these excellent properties are applicated, we shoud get good TiO2 heterojunction. Based on the summaration of the Si-based heterojunction’s development and TiO2 thin film development, the electrical properties of TiO2-based heterostructure are studied. The high-quality N-type TiO2 films are prepared with Magnetron sputtering method, we find the optical band gap is changed with oxygen argon ratio and the best rectifier characteristic curve of N-type TiO2/P-Si heterojunction in the condition of different oxygen argon ratio, different pressures and different temperatures.
Key Words:Heterojunction; TiO2 film; Magnet
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